ADP
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ZnGeP2, GaSe
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RTP結晶 (RTiOPO4 or Rubidium Titanyl Phosphate)
特長:
・高繰返しでの電気光学用途に最適な結晶
・高ダメージ閾値、低挿入損失
・圧電効果を起こさない
・潮解性なし
・高消光比、高コントラスト比
物理・科学的特性
非線形特性
結 晶 構 造 |
Orthorhombic(斜方晶系) |
格 子 定 数 |
a = 12.96Å, b = 10.56 Å, C = 6.49Å |
密 度 |
3.6 g/cm3 |
融 点 |
〜100℃ |
相転移温度 |
〜810℃ |
モ ー ス硬度 |
約5 |
密 度 |
2.47g/cm3 |
熱膨張係数 |
a1=1.01x10-5, a2=1.37x10-5, a3=-4.17x10^-6/℃ |
潮解性 |
無し |
誘電率 |
Eeff = 13.0 |
吸収係数 |
< 0.1%/cm@1064nm |
色 |
無色 |
イオン伝導率 |
10-8 S/cm (室温、10kHz) |
非線形係数 |
d15 = 2.0 pm/V, d24 = 3.6 pm/V, d31 = 2.0 pm/V |
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電気光学係数 |
X-カット低周波伝搬 |
Y-カット低周波伝搬 |
r13 |
10.6 pm/V |
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r23 |
12.5 pm/V |
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r33 |
35 pm/V |
38.5 pm/V |
半波長電圧@1064nm |
1445 V for a pair of 4x4x10mm |
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ダメージ閾値、10nsecパルス |
> 600 MW/cm2 @ 1064 nm |
光学特性
透過帯域 |
350〜4500 nm |
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セルマイヤー係数 |
A |
B |
C |
D |
Nx |
2.15559 |
0.93307 |
0.20994 |
0.01452 |
Ny |
2.38494 |
0.73603 |
0.23891 |
0.01583 |
Nz |
2.27723 |
1.11030 |
0.23454 |
0.01995 |
吸収係数 |
< 0.05 % / cm @ 1064 nm < 4 % /cm @ 532 nm |
RTP結晶は非線形や電気光学用途に用いられているKTP結晶と同一構造の結晶です。
ダメージ閾値はKTP結晶の約1.8倍で、高抵抗値、高繰り返し率で、潮解性が無いが特長です。