ADP
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ZnGeP2, GaSe
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KTA 結晶 (KtiAsO4 or Potassium Titanyl Arsenate)
・ 光パラメトリック発振器(OPO)
・ 大きい非線形光学係数、広い許容角と温度バンド幅
・ 低誘電率、低イオン伝導率
・ KTP に比べ3-4μmでの吸収が少ない。
・ 高出力レーザーに対し損傷閾値が高い。
・ 波長変換(SHG@1083nm-3789nm)
・ 和周波(SHG)、差周波(DFG)発生
・ EO Qスイッチと変調器
物理・科学的特性
光学特性
結晶構造 |
Orthorhombic(斜方晶系)、pna21,mm2 |
格子定数 |
a=1.312nm,b=0.656nm, c=1.0798nm |
密度 |
3.45 g/cm3 |
融点 |
1130±5 ℃ |
相転移温度 |
880 ℃ |
イオン伝導率 |
0.7-3.4 x 106 S/cm (室温、10kHz) |
吸収係数 |
< 0.1%/cm@1064nm |
潮解性 |
無し |
誘電率 |
ε33=42 |
熱伝導率 |
k1=18,k2=19,k3=21 mw/cm°C |
透過帯域 |
350-5300nm |
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屈折率(@ 1064 nm) |
nx=1.782 |
||||
セルマイヤー係数 Ni^2=Ai+Biλ^2/(λ^2-Ci^2)- |
A |
B |
C |
D |
|
Nx |
1.9.713 |
1.23522 |
0.19692 |
0.01025 |
|
Ny |
2.15912 |
1.00099 |
0.21844 |
0.01096 |
|
Nz |
2.14768 |
1.29559 |
0.22719 |
0.01436 |
非線形特性
位相整合帯域 |
1075-1134nm |
NCPM角 |
θ=90°、φ=0° |
非線形係数 |
d15 =2.3 pm/V |
E/O係数 (低周波): |
r13=11.5 pm/V |
ダメージ閾値(10ns パルス) |
15J/cm2 @ 1064 nm |