ADP
ZnGeP2, GaSe

KTA 結晶 (KtiAsO4 or Potassium Titanyl Arsenate)

・ 光パラメトリック発振器(OPO)
・ 大きい非線形光学係数、広い許容角と温度バンド幅
・ 低誘電率、低イオン伝導率
・ KTP に比べ3-4μmでの吸収が少ない。
・ 高出力レーザーに対し損傷閾値が高い。
・ 波長変換(SHG@1083nm-3789nm)
・ 和周波(SHG)、差周波(DFG)発生
・ EO Qスイッチと変調器

物理・科学的特性


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株式会社ネオトロン

光学特性

結晶構造 

Orthorhombic(斜方晶系)、pna21,mm2

格子定数 

a=1.312nm,b=0.656nm, c=1.0798nm

密度 

3.45 g/cm3

融点  

1130±5 ℃

相転移温度 

880 ℃

イオン伝導率

0.7-3.4 x 106 S/cm (室温、10kHz)

吸収係数   

< 0.1%/cm@1064nm
< 0.1%/cm@1533nm
< 5%/cm@3475nm

潮解性 

無し

誘電率

ε33=42

熱伝導率

k1=18,k2=19,k3=21 mw/cm°C

透過帯域

350-5300nm

屈折率(@ 1064 nm)

nx=1.782
ny=1.790
nz=1.868

セルマイヤー係数

Ni^2=Ai+Biλ^2/(λ^2-Ci^2)-
Diλ^2
     

A

B

C

D

Nx

1.9.713

1.23522

0.19692

0.01025

Ny

2.15912

1.00099

0.21844

0.01096

Nz

2.14768

1.29559

0.22719

0.01436

非線形特性

位相整合帯域

1075-1134nm

NCPM角

θ=90°、φ=0°

非線形係数

d15 =2.3 pm/V
d24 =3.2 pm/V
d31 =2.8 pm/V
d32 =4.2 pm/V
d33 =16.2

E/O係数 (低周波):

r13=11.5 pm/V
r23=15.4 pm/V
r33=37.5 pm/V

ダメージ閾値(10ns パルス)

15J/cm2 @ 1064 nm