|
用途
|
IR optics, Substrates, THz Detectors, THz emitters
|
結晶構造
|
Zincblende (Cubic)
|
育成方法
|
Seeded Vapor-Phase Free Growth Technology
|
格子定数、Å
|
a = 6.1034
|
成長方位
|
<111>
|
抵抗値(Ohm x cm)
|
1...1x106
|
ホール移動度、cm2/(V x sec)
|
130 (h)
|
EPD
|
< 5x105
|
小傾角境界の濃度、cm-1
|
< 10
|
双昌と積層欠陥
|
Twin free
|
バンドギャップ,Eg(eV)
|
1.4 (直接遷移型)
|
|
|