V
W
Y

Si (Silicon)
シリコン

General Properties:

元素記号

Si

原子番号

14

原子量

28.0855

密度

2.34g c/c

融点

1410°C

沸点

2355°C

Crystal Properties:

純度

5N

結晶構造

Diamond

成長方法

Czochralski

面方位

(100) (110) (111)

軸精度

0.5 acc on discs

サイズ

Up to 100 x 100mm

研磨方法

Mechanical

表面粗さ 

0.04 micron - 1 micron

Ag (Silver)

General Properties:

元素記号

Ag

原子番号

47

原子量

107.8682

密度

10.5g c/c

融点

961.9 °C

沸点

2212 °C

Crystal Properties:

純度

6N

結晶構造

Face centred cubic

成長方法

Bridgeman and czochralski

面方位

(100) (110) (111) Standard

軸精度

0.5 acc on discs

サイズ

Up to 100 x 150mm

研磨方法

Mechanical

表面粗さ 

0.04 micron - 1 micron


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