◇製品名 InGaAsフォトダイオード
InGaAs フォトダイオード:セラミックパッケージ/導線付
(FCI-InGaAs-XXX-LCER):
InGaAs Photodiode
Mounted on Ceramic Packagew/Leads
OSI Optoelectronics 社
InGaAs フォトダイオード:セラミックパッケージ/導線付
(FCI-InGaAs-XXX-LCER):
InGaAs Photodiode
Mounted on Ceramic Packagew/Leads
OSI Optoelectronics 社
◇概 要
・InGaAsフォトダイオード(FCI-InGaAs-XXX－LCER):
FCI-InGaAs-XXX-LCERは70μm, 120μm, 300μm, 400μm並びに500μmの有効径を持ったセラミック上にマウント
されたIRセンシティブなフォトダイオードです。チップはセラミックサブストレート上にエポキシ或いは共融されており
ます。
◇特長
･低雑音 ・高応答性 ･高速特性 ･900～1700nmのスペクトル帯域
◇応用
･高速光通信 ･ギガビットイーサー/ファイバーチャンネル ･SONET/ SDH, ATM ・ダイオードレーザモニター ・装置
・InGaAsフォトダイオード(FCI-InGaAs-XXX－LCER):
FCI-InGaAs-XXX-LCERは70μm, 120μm, 300μm, 400μm並びに500μmの有効径を持ったセラミック上にマウント
されたIRセンシティブなフォトダイオードです。チップはセラミックサブストレート上にエポキシ或いは共融されており
ます。
◇特長
･低雑音 ・高応答性 ･高速特性 ･900～1700nmのスペクトル帯域
◇応用
･高速光通信 ･ギガビットイーサー/ファイバーチャンネル ･SONET/ SDH, ATM ・ダイオードレーザモニター ・装置
◇仕様: ・InGaAsフォトダイオード(FCI-InGaAs-XXX-LCER)
| 型式 | 有効径 μm |
応答性
typ.(A/W) 1.3/1.55um |
容量 pF,V(R)=5V typ |
暗電流
nA typ/max |
立上/立下り ns, max. |
最大
逆電圧 V |
最大 逆/順電流 mA |
|
InGaAsフォトダイオード
|
|||||||
| FCI-InGaAs-70LCER |
70 |
0.90 / 0.95
|
0.65
|
0.03/ 2.0
|
0.2 |
20
|
1/ 5 |
|
FCI-InGaAs-120LCER
|
120 |
0.90 / 0.95
|
1.0
|
0.05/ 2.0
|
0.3
|
20
|
2/ 5
|
| FCI-InGaAs-300LCER |
300
|
0.90 / 0.95
|
10.0
|
0.3/ 5.0
|
1.5
|
15
|
2/ 8
|
|
FCI-InGaAs-400LCER
|
400
|
0.90 / 0.95
|
14.0
|
0.4/ 5.0
|
3.0
|
15
|
2/ 8
|
|
FCI-InGaAs-500LCER
|
500
|
0.90 / 0.95
|
20.0
|
0.5/ 20
|
10.0
|
15
|
2/ 8
|
Fermionics(InGaAs)；Archcom,Fermionics,MutiPlex(レシーバ)；Archcom,MPI(高速ディテクタ)；
OSI(Si,Si-APD,GaAs),(InGaAs,光通信)；AdvancePhotonics(Si);Epigap(PDチップ)
OSI(Si,Si-APD,GaAs),(InGaAs,光通信)；AdvancePhotonics(Si);Epigap(PDチップ)
|
パラメータ
|
保存温度
|
動作温度
|
半田温度
|
単位
|
|
最大絶対定格
|
||||
|
Min
|
-40
|
0
|
-
|
℃
|
|
Max
|
+85
|
+70
|
+260
|
℃
|