型式 | 有効径 (μm) |
応答性
typ.(A/W) 850um |
容量 typ.(pF) |
暗電流
typ,(nA) |
最大
逆電圧 (V) |
バンド幅
typ.(GHz) 850nm |
最大 順電流 (mA) |
保存/動作
温度 (℃) |
GaAsアレー
|
||||||||
FCI-GaAs-4M |
70, pich:250 |
0.63
|
0.65
|
0.03
|
20
|
2 |
5
@850nm |
-40~85/
0~70 |
FCI-GaAs-12M |