◇製品名　Siフォトダイオード
800nm,350kHz-580KHz Si PD
(PIN-HRXXX；BPX-XX):
High Speed Silicon Photodiode
OSI Optoelectronics 社

資料(英語)
Si PD(350k-580KHz)
◇概　要
・Siフォトダイオード(PIN-XXX；BPX-XX):
当社の高速シリコンシリーズは高速対応又は広帯域対応となっております。スペクトル範囲は350-1100nmで、応答特性、
応答時間はHRシリーズで800nmで0.5A/Wのピーク応答特性があり、-5Vで数100ピコ秒の標準応答時間となっておりま
す。ノート：全ての高速フォトディテクタは高速応答時間を得るには逆バイアスを掛ける必要があります。しかし逆バイ
アスはディテクタにダメージが掛からないように最大逆バイアス値を制限しておいて下さい。出力信号は直接オシロスコー
プで測定をするか或いはFig.10(当社カタログ)に示されているように高周波増幅器に接続が可能です｡高速のシリコーン
シリーズの製品は平面窓或いはボールレンズが可能です。

◇特長
・低暗電流 　 ･低容量　 ･TO-46パッケージ　　･レンズ付きキャップ　　・サブナノ秒応答

◇応用
･ビデオシステム　　･産業コントロール　　・ガイダンスシステム　　･レーザモニタリング

お問い合わせ
株式会社ネオトロン
◇仕様:　・Si フォトダイオード(PIN-XXX；BPX-XX)
型式 有効径
φmm
ピーク波長
nm
応答性
(A/W)830nm
min/typ
容量
typ(pF)
暗電流
typ/max
（nA)
 最大
逆電圧
max.V
立上り
typ(ns)
830nm,50Ω
 動作/保存
温度
(℃)
高速シリーズSi フォトダイオード(Vbias=-15V)
PIN-HR005
PIN-HR005L
 0.127
800
0.45/0.50
0.8
0.03/0.8
 15
0.6
 -25~+85/
-40~+100
PIN-HR008
PIN-HR008L
 0.203sq.
800
0.45/0.50
0.8
0.03/0.8
 15
0.6
PIN-HR020
PIN-HR020L
 0.508
800
 0.45/0.50 1.8
0.06/1.0
 15 0.8
PIN-HR026
PIN-HR026L
 0.660
800
0.45/0.50
2.6
0.1/1.5
 15
0.9
PIN-HR040
PIN-HR040L
 0.991
800
 0.45/0.50 4.9
0.3/2.0
 15 1.0
BPX-65(Vbias=-20V), BPX-65R(Vbias=-20V)
BPX-65 1.0sq. 900 0.45/0.50 3.0 0.5/ 5.0 50 2.0
BPX-65R 1.0sq. 850 0.52/0.55 3.5 1.0/ 5.0 30 3.5(820nm) -40~+80/
-55~+100
Fermionics(InGaAs)；Archcom,Fermionics,MutiPlex(レシーバ)；Archcom,MPI(高速ディテクタ)；
OSI(Si,Si-APD,GaAs),(InGaAs,光通信)；AdvancePhotonics(Si);Epigap(PDチップ)
⇒メーカホームページへ(Si PD 350K-580KHz)