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LiNbO3 (Lithium Niobate)
ニオブ酸リチウム単結晶はE-O係数やA-O係数が大きいため、ポッケルスセル
やQスイッチ、位相変調器、導波路基板、表面弾性波(SAW)ウエハーなどに
用いられている材料です。ウエハー、アズカットボールなどお客様のご希望に
あわせカット致します。
応用:
・SAW・BAWデバイス ・圧電センサー(PET) ・圧電変換器(PES)
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在庫一覧表 |
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特性 |
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ε11/ε0 = 85、ε33/ε0 = 29.5
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SAW 特性: |
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面方位
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表面波速度
Vs (m/s)
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電気機械結合係数
K2s (%)
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速度温度係数
TCV(ppm/℃)
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延滞時間温度係数
TCD(10-6 /℃)
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127.86°Y-X
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3970
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5.5
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-60
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78
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X-Y
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3485
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4.3
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-85
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95
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標準サイズ:
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仕様
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インゴット
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ウェハ-: (注)
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φ3"
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φ4"
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φ3"
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φ4"
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< 300 mm
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< 150 mm
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0.35 - 0.5 mm
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127.86°Y、64°Y、1345°Y、X、Y、Z 並びにその他カットに対応
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X、Y
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オリフラ長 |
22±2mm
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32±2mm
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22±2mm
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32±2mm
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表面研磨 |
-
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-
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鏡面研磨 5-15Å
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裏面ラッピング |
-
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-
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0.3 - 1.0μm
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平坦度 |
-
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-
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≦ 15
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ボウ/Bow |
-
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-
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≦ 25
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注:ウェハーのサイズ特注承ります |
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Lithium Niobate Thin Film(薄膜LN): LN=単結晶
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当デバイス薄膜LNは通信機器、一般産業、消耗品そして医療分野
等で広く活用されております。 |
その他極薄フィルム
⇒薄膜LT; 薄膜D.on Si
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300-900nm 薄膜LiNbO3
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トップ機能層
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直径
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3, 4, (6) インチ
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方位
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XYZ
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材料
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LiNbO3
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厚さ
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300-900nm
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ドープ(オプション)
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MgO
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分離層
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材料
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SiO2
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厚さ
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1000-4000nm
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基板
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材料
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Si,LN,石英,溶融石英
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厚さ
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400-500μm
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電極層
(オプション)
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材料
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Pt, Au, Cr
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厚さ
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100-400nm
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構造
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上部又は下部にSiO2絶縁層
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構造
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デバイス-1
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薄膜LN/ SiO2/ 基板:LN,Si,石英又は溶融石英
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デバイス-2
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薄膜LN/ 電極/ SiO2/ 基板:LN
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デバイス-3
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薄膜LN/ SiO2/ 電極/ 基板:LN
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デバイス-4
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MgOドープ薄膜LN/ SiO2/ MgOドープLN基板
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デバイスLN-1 |
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デバイスLN-2 |
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デバイスLN-3 |
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デバイスLN-4 |
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お問い合わせ |
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株式会社ネオトロン |
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