LEDチップ・ハウジング(UV～NIR)、フォトダイオードチップ・ハウジング(UV～NIR)並びにUVラジオメータ
◇当社製品は560nm～1550nmの波長帯域の製品があり、またお客様の仕様にも対応させて頂きます。当社では毎年2百万個以上の各サイズのチップの供給をして来ております。
◇特長は
・特注設計に対応 ・高速特性を持ったチップ ・高出力の特性を持ったチップ
・ポイントソースチップ ・モノリシック・ディスプレィチップ
◇スペシャルオプションとして例えば100%チップの試験又は波長測定等にも対応させて頂きます。
LED(365nm～1550nm)
◇365 ～1550nmのLEDを供給させて頂きます。 ◇ハウジングは通常の5mm、又は3mmのサイズのプラスチックハウジング、1206-, 0805-のSMD並びにPLCCハウジング等に対応します。 ◇お客様仕様、例えばハウジング、光分散角、波長並びに出力等ご要望に応じます。 ◇赤外領域のLEDは10nsのスイッチング時間ないしはそれ以下の値でも対応させて頂きます。 ◇更に高信頼性並びに高温特性を得るためにTOカンのパッケージに対応させて頂きます。
フォトダイオードチップ(150～1700nm) ◇150～1700nmのスペクトルの高感度な選択可能なフォトダイオードを供給させて頂きます。 ◇材料はA3B5-半導体材料のGaP,AlGaAs並びにInGaAsが用いられております。 ◇特長はスペクトルの応答性により素子の成長段階においてフィルターを用いるかを決めて、半導体中に集積いたします。一方シリコンのような素子の場合追加フィルターの集積は通常、行ないません。 ◇EPIGAP社のフォトダイオードの特長は
・追加する高価なフィルターを必要としません
・S/Nの優れた製品 ・高安定性な且つ高信頼性な製品 ・温度安定性に優れた製品
フォトダイオード ◇150～1700nmの広帯域内の狭帯域なスペクトラムを選択が可能です。 ◇当社製品はSiC-又はA3B5-半導体に基づいたフォトダイオードを供給させて頂きます。 ◇EPIGAP社のフォトダイオードの特長は ・非常に優れたS/N ・温度安定性の優れた特性 ・感度の優れた特性 ・低暗電流特性 ・高スペクトルな選択性 ・通常追加フィルターを用いません ・高ダイナミックレンジ特性 ◇応用:紫外～近赤外にいたる範囲で対応させて頂きます。
UVセンサー ◇VUV領域(真空紫外線）～UVA領域(近紫外線)に至る波長範囲の測定又はモニタリングの応用に対応します。計測用デバイス、センサー、測定ヘッド、制御ユニット等が御座います。 ◇EPIGAP社製デバイスはUV照射系のサービスないしは制御に対して非常に優れた設計を施しております。当社のセンサーを用いたヘッドとモニター系を一体にした測定システムはUV光源の測定、モニターに最適です。 ◇UV光の様々な応用 ・水の消毒(Water sterilisation) ・医療機械 ・UV治療機器 ・炎検出器 ・特殊なUV測定系ないしはデバイスへの応用 ・その他UV機器 ◇UV光以外の適用 当社はUV光の測定デバイスやセンサーに関すること以外にLED-ランプ用駆動回路、信号プロセス回路やシステム、UV光の増幅器付きデバイス等にも対応させて頂きます。
