◇製品名:可飽和吸収デバイス
可飽和雑音抑圧器/SANOSTM
λ=1064nm
SANOSTM:Saturable Noise Suppressor product
BATOP Optoelectronics GmbH
可飽和雑音抑圧器/SANOSTM
λ=1064nm
SANOSTM:Saturable Noise Suppressor product
BATOP Optoelectronics GmbH
可飽和吸収ミラーは超短パルス波を発生する受動モードロック技術により様々なレーザのキャビティ内の受動デバイスに設置され
能動技術として活用されます。受動モードロッキングデバイスの可飽和吸収ミラー(SAM)はレーザキャビティの広範囲のモードロック
として用いられます。パルス波はCW(連続波)のレーザ動作の多波長モードの同期吸収体材料(SAM)により位相ロックされ
極短波長が得られます。詳細については以下ご参照下さい。⇒資料(詳細)
可飽和雑音抑圧器については以下ご参照下さい。⇒資料1(詳細)；資料2(詳細)
能動技術として活用されます。受動モードロッキングデバイスの可飽和吸収ミラー(SAM)はレーザキャビティの広範囲のモードロック
として用いられます。パルス波はCW(連続波)のレーザ動作の多波長モードの同期吸収体材料(SAM)により位相ロックされ
極短波長が得られます。詳細については以下ご参照下さい。⇒資料(詳細)
可飽和雑音抑圧器については以下ご参照下さい。⇒資料1(詳細)；資料2(詳細)
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部品番号
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仕様
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データ
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FS-SANOS -1064 -1
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空間系 SANOS: l = 1064 nm, FWHM: 17 nm, 雑音抑圧比: 12 dB,
挿入損失: 3 dB, Saturation Fluence: 4 μJ/cm2 |
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FS-SANOS -1064 -2
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空間系 SANOS: l = 1064 nm, FWHM: 17 nm, 雑音抑圧比: 20 dB,
挿入損失: 6 dB, Saturation Fluence: 8 μJ/cm2 |
■ SANOSTM 1064 nm, 雑音抑圧比 =12 dB, 20 dB