◇製品名:可飽和吸収デバイス
可飽和吸収体/SA
λ=2000nm( 1900nm .. 2100nm )
SA:Saturable Absorber
BATOP Optoelectronics GmbH
可飽和吸収体/SA
λ=2000nm( 1900nm .. 2100nm )
SA:Saturable Absorber
BATOP Optoelectronics GmbH
■SA 2000 nm, 吸収率:40 %
可飽和吸収ミラーは超短パルス波を発生する受動モードロック技術により様々なレーザのキャビティ内の受動デバイスに設置され
能動技術として活用されます。受動モードロッキングデバイスの可飽和吸収ミラー(SAM)はレーザキャビティの広範囲のモードロック
として用いられます。パルス波はCW(連続波)のレーザ動作の多波長モードの同期吸収体材料(SAM)により位相ロックされ
極短波長が得られます。詳細については以下ご参照下さい。⇒資料(詳細)
可飽和吸収体については以下ご参照下さい。⇒資料(詳細)
また、可飽和吸収体のファイバー結合透過損失の詳細については以下ご参照下さい。⇒資料(詳細)
能動技術として活用されます。受動モードロッキングデバイスの可飽和吸収ミラー(SAM)はレーザキャビティの広範囲のモードロック
として用いられます。パルス波はCW(連続波)のレーザ動作の多波長モードの同期吸収体材料(SAM)により位相ロックされ
極短波長が得られます。詳細については以下ご参照下さい。⇒資料(詳細)
可飽和吸収体については以下ご参照下さい。⇒資料(詳細)
また、可飽和吸収体のファイバー結合透過損失の詳細については以下ご参照下さい。⇒資料(詳細)
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部品番号
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仕様
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データ
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SA-2000 -1-x
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SA: l = 2000 nm, 吸収率 1 %, D T = 0.6 %, t =～ 500 fs
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SA-2000 -25-x
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SA: l = 2000 nm, 吸収率 25 %, D T = 15 %, t =～ 1 ps
ファイバーリングレーザモードロック用 |
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SA-2000 -43-x
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SA: l = 2000 nm, 吸収率 43 %, D T = 23 %, t =～ 1 ps
ファイバーリングレーザモードロック用 |
■ SA 2000 nm, t =～ 500 fs, 1 ps
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部品番号
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仕様
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データ
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SA-2000 - 40 - x
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Saturable Absorber, 動作波長 1020 nm,飽和吸収率 40 %,
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SA-2000 -40 - 0
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unmounted chip, サイズ: 5 mm x 5 mm, 厚さ: 625 µm、両面ARコート
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SA-2000 -40 - 0 b
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unmounted chip, サイズ: 1 mm x 1 mm or 1.3mm x 1.3mm, 厚さ: 100 µm
ファイバーレーザ突き合わせ結合用, 5個/set |
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SA-2000 -40 - 12.7 g
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glued on a 3 mm thick copper disc with 12.7 mm (1/2") Ø and 4 mm center hole;
サイズ: 5 mm x 5 mm, 厚さ: 625 µm、両面ARコート |
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SA-2000 -40 - 25.0 g
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glued on a 3 mm thick copper disc with 25.0 mm Ø and 4 mm center hole;
サイズ: 5 mm x 5 mm, 厚さ: 625 µm、両面ARコート |