OSI Optoelectronics 社, Si(シリコン)PD，　超低雑音大口径フォトダイオード, Large Active Area, High Speed PD

◇製品名　Si(シリコン)PD
超低雑音大口径フォトダイオード
Large Active Area, High Speed PD
OSI Optoelectronics 社

◇概　要
・超低雑音大口径Siフォトダイオード:
大口径高速フォトディテクタは高速応答を得るために接合容量を最も低くなるように設定します。これらはナノ秒
の応答が得られるように、より高い逆バイアスで動作されます。
大口径ラディエーション･ディテクタは高エネルギーX-線の測定やエレクトロン、アルファ線や重イオンのような
高エネルギー分子等を測定するのに使われます。測定は直接或いは間接に測定されます。

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株式会社ネオトロン

◇仕様:　・超低雑音大口径Siフォトダイオード

型式	有効径		応答性 (A/W) @900nm	減少電圧 V	暗電流 (nA) -100V	容量 (pF) -100V,typ	立上時間 (ns),900nm -100V,50Ω	逆電圧（V),10uA max.	筐体形状
型式	面積 (mm^２)	サイズ	応答性 (A/W) @900nm	減少電圧 V	暗電流 (nA) -100V	容量 (pF) -100V,typ	立上時間 (ns),900nm -100V,50Ω	逆電圧（V),10uA max.	筐体形状
大口径Siフォトダイオー,高速
PIN-RD07	7.1	3.00φ	0.55 typ.	48 typ	0.2 typ	8.0	1.5 typ	135	26/TO-8
PIN-RD15	14.9	4.35φ	0.58	55	1.0	14	3.0	140	26/TO-8
PIN-RD100	100	10 sq	0.6	75	2+	50+	-	120	25/ Ceramic
PIN-RD100A	100	10 sq	0.6	35	2	40	-	70	25/ Ceramic

Fermionics(InGaAs)；Archcom,Fermionics,MutiPlex(レシーバ)；Archcom,MPI(高速ディテクタ)；
OSI(Si,Si-APD,GaAs),(InGaAs,光通信)；AdvancePhotonics(Si);Epigap(PDチップ)

◇応用
･パルス検出　　・光通信　　
･バーコードリーダ・光リモート制御
･医療機器　　・高速光度測定器

◇特長
・高速応答性　･低容量
・低暗電流･高速性
・広ダイナミックレンジ　

⇒メーカホームページへ(フォトダイオードアレー)

上図:容量 VS 逆バイアス電圧

上図:応答VS波長特性

型式	有効径		ピーク応答波長 (nm)	応答性 (A/W) 900nm	容量 (pF) 0V,typ	シャント抵抗 (G Ω),-10V	立上時間 (ns),632nm	筐体型式
	面積 (mm^２)	サイズ (mm)
OSD35-LR シリーズ
OSD35-LR-A	34.2	5.8 x 5.9	830	0.54 typ	1300	3 typ.	-	25/ Ceramic
OSD35-LR-D	34.2	5.8 x 5.9	830	0.54		0.3	-

◇仕様　超低雑音大口径Siフォトダイオード