◇製品名　Si(シリコン)PD
半田可能 チップ フォトダイオード
Solderable Chip Photodiode
OSI Optoelectronics 社

◇概　要
・半田可能チップフォトダイオード:
OSI社の半田可能フォトダイオードチップシリーズは大きい口径でリード線が付いている場合、無い場合又は使い捨
ての用途等の場合に用いられます。これらは低容量、適度な暗電流、広ダイナミックレンジ並びに高いオープン回路
電圧を持っております。
これらのディテクターは2個の3”長さのリードがでており前部(アノード)と後部(カソード)を半田付けが可能です。
これらの製品には
･低容量を持った、高速の“光伝導性(Photoconductive)”シリーズ(SXXCL)、と
･低雑音特性を持った“光起電力性(Photovoltaic)”シリーズ(SXXVL)の2タイプのフォトダイオードがあります。
これらのデバイスはリード線の無いチップの状態でのご供給も可能です。この場合は型式からLを取り除いた型式、
例えばS-100Cのような型式で対応させて頂きます。
大きな信号出力の場合、ディテクタは電流計に接続されるかまたは電圧計の抵抗の間に接続されます。同時に出力は
オッシロスコープで又は増幅器で直接測定する事が出来ます。詳細は“Photodiode CHaracteristics”の項をご参照
下さい。

お問い合わせ
株式会社ネオトロン
◇仕様:半田可能チップフォトダイオード

型式 有効径
チップ
サイズ
mm
 応答
(A/W)
@970nm		 シャント
抵抗
(MΩ)-10mV		 暗電流
(nA),-5V		 容量(pF)
面積
(mm２)
サイズ
(mm)
0 V
-5 V
光伝導性(Photoconductive), VBIAS:-5V
S-4CL 4.7 1.7 x 2.8
1.9 x 4.1
 0.65 typ - 20 - 15
S-10CL 9.6 2.3 x 4.2
2.5 x 5.1
 - 40 - 30
S-25CL 25.8 5.1 x 5.1 5.5 x 6.0 - 100 - 95
S-25CRL 25.4 2.5 x 10.1 3.4 x 10.5 - 100 - 95
S-50CL
51.0
2.5 x 20.3
3.4 x 20.6
 -
300
 -
200
S-80CL
82.6
4.1 x 20.1
5.2 x 20.4
 -
500
 -
300
S-100CL
93.4
9.7 x 9.7
10.5 x 11.0
 -
600
 -
375
S-120CL
105.7
4.5 x 23.5
5.5 x 23.9
 -
800
 -
450
S-200CL
189.0
9.2 x 20.7
10.2 x 21.0
-
1200
-
750
光起電力性(Photovoltaic), VBIAS:0 V
S-4VL 4.7 1.7 x 2.8
1.9 x 4.1
 0.65 typ 10 - 370 -
S-10VL 9.6 2.3 x 4.2
2.5 x 5.1
 8 - 750 -
S-25VL 25.8 5.1 x 5.1 5.5 x 6.0 5 - 2100 -
S-25VRL 25.4 2.5 x 10.1 3.4 x 10.5 5 - 2100 -
S-50VL
51.0
2.5 x 20.3
3.4 x 20.6
3
 -
4000
 -
S-80VL
82.6
4.1 x 20.1
5.2 x 20.4
2
 -
6000
 -
S-100VL
93.4
9.7 x 9.7
10.5 x 11.0
1.0
 -
8500
 -
S-120VL
105.7
4.5 x 23.5
5.5 x 23.9
0.5
 -
10000
 -
S-200VL
189.0
9.2 x 20.7
10.2 x 21.0
0.2
-
71000
-
Fermionics(InGaAs)；Archcom,Fermionics,MutiPlex(レシーバ)；Archcom,MPI(高速ディテクタ)；
OSI(Si,Si-APD,GaAs),(InGaAs,光通信)；AdvancePhotonics(Si);Epigap(PDチップ)
◇応用
･パルス検出　　・光通信　　･バーコード読み取り　　・医療機器　・光リモート制御　　・高速光度測定器

◇特長
・高速応答 　 ・低容量　 ・低暗電流　 ･広ダイナミックレンジ　　・高速光度測定器

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上図:　メカニカルサイズ(単位:inch)
半田可能チップ資料(英語)