◇製品名 Si(シリコン)PD
光伝導性(photoconductive)アレー
多素子(フォトダイオード)アレー＆X線アレー
OSI Optoelectronics 社
光伝導性(photoconductive)アレー
多素子(フォトダイオード)アレー＆X線アレー
OSI Optoelectronics 社
◇概 要
・フォトダイオードアレー:
多チャンネル･アレーフォトディテクタはカソード共通の一方向センシング素子をアレー状に並べた製品です。これら
の製品は動作状態のビームの測定又は多波長の測定をする事が可能です。これらは低電気的クロストークないしは
優れた均一性をもっております。ディテクターはUV、可視並びに近赤外に適応可能です。またこれらの製品は応答
時間を遅らせる光伝導性的(photoconductive)モード(逆バイアス)或いは低ドリフト特性を用いる場合の
光起電性(photovoltaic)モードな使用が可能です。
A2V-16は電磁波領域のX-線、ｇ-線領域に対して高エネルギーフォトンを測定するために任意のシンチレーション
結晶とカップリングする事が可能です。
・X-線リニヤアレー:
このシリーズは16素子のアレーより構成されております。各素子はPCBに取りまとめて取り付けられております。X線や
ガンマ線の応用の場合、これらのマルチチャンネル･ディテクタはシンチレータが取り付けられているオプション:BGO,
CdWO4,又はCsI(TI)が御座います。
BGO(Bismuth Germanate)は理想的な吸収素子:高エネルギー検出の場合に用いられます。
CdWO4(Cadmium Tungstate)は分光充分な高光出力を演出し、分光学結果を改良します。
CsI(Cesium Iodite)は機械的なショックと熱ストレスに対して十分な対応の可能なその他の高エネルギー吸収素子です。
・フォトダイオードアレー:
多チャンネル･アレーフォトディテクタはカソード共通の一方向センシング素子をアレー状に並べた製品です。これら
の製品は動作状態のビームの測定又は多波長の測定をする事が可能です。これらは低電気的クロストークないしは
優れた均一性をもっております。ディテクターはUV、可視並びに近赤外に適応可能です。またこれらの製品は応答
時間を遅らせる光伝導性的(photoconductive)モード(逆バイアス)或いは低ドリフト特性を用いる場合の
光起電性(photovoltaic)モードな使用が可能です。
A2V-16は電磁波領域のX-線、ｇ-線領域に対して高エネルギーフォトンを測定するために任意のシンチレーション
結晶とカップリングする事が可能です。
・X-線リニヤアレー:
このシリーズは16素子のアレーより構成されております。各素子はPCBに取りまとめて取り付けられております。X線や
ガンマ線の応用の場合、これらのマルチチャンネル･ディテクタはシンチレータが取り付けられているオプション:BGO,
CdWO4,又はCsI(TI)が御座います。
BGO(Bismuth Germanate)は理想的な吸収素子:高エネルギー検出の場合に用いられます。
CdWO4(Cadmium Tungstate)は分光充分な高光出力を演出し、分光学結果を改良します。
CsI(Cesium Iodite)は機械的なショックと熱ストレスに対して十分な対応の可能なその他の高エネルギー吸収素子です。
◇仕様: 多素子フォトダイオードアレー
| 型式 |
素子数
|
有効径 |
ピッチ数
(mm) |
応答性
(A/W) @970nm |
シャント
抵抗 (MΩ) |
容量 (typ)(pF) |
暗電流
(pA) (-10V) |
筐体 形状 |
|
|
面積
(mm２) |
サイズ
|
||||||||
|
光伝送性(フォトコンダクティブ)アレー
|
|||||||||
| A5C-35 | 35 | 3.9 | 4.39 x 0.89 |
0.99
|
0.65 typ
|
-
|
12(-10V) |
0.05
|
54/ 40pin DIP |
| A5C-38 | 38 | 3.9 | 4.39 x 0.89 |
0.99
|
0.65
|
-
|
1.2(-10V) |
0.05
|
|
|
光起電性(フォトボルテック)アレー
|
|||||||||
| A2V-16 | 16 | 1.92 | 1.57 x 1.22 |
1.59
|
0.6 typ
|
1000
(-10mV) |
170(0V)
|
-
|
53/PCB
|
| A5V-35 | 35 | 3.9 | 4.39 x 0.89 |
0.99
|
0.6
|
340(0V) |
-
|
54/40 pinDIP |
|
| A5V-38 |
38
|
3.9
|
4.39 x 0.89
|
0.99
|
0.6
|
340(0V)
|
-
|
||
| A2V-76 |
76
|
1.8
|
6.45 x 0.28
|
0.31
|
0.5
|
500
|
160(0V)
|
-
|
52/Ceramic
|
|
UV適応 アレー(λ=254nm, VBIAS=-10V)
|
|||||||||
|
E5V-35UV
|
35
|
3.9
|
4.39 x 0.89
|
0.99
|
0.06
|
500
|
340(0V)
|
-
|
54/
40pin DIP |
|
モノリシック半田可能チップアレー
|
|||||||||
|
A4V-2
|
2
|
4.24
|
-
|
0.06
|
0.6
|
1000
(-10mV) |
500
|
-
|
A4V-4X
|
|
A4V-4
|
4
|
4.24
|
-
|
0.06
|
0.6
|
-
|
|||
|
A4V-6
|
6
|
4.24
|
-
|
0.06
|
0.6
|
-
|
|||
|
A4V-8
|
8
|
4.24
|
-
|
0.06
|
0.6
|
-
|
|||
|
A4V-10
|
10
|
4.24
|
-
|
0.06
|
0.6
|
-
|
|||
|
A4V-12
|
12 | 4.24 | - | 0.06 | 0.6 | - | |||
Fermionics(InGaAs)；Archcom,Fermionics,MutiPlex(レシーバ)；Archcom,MPI(高速ディテクタ)；
OSI(Si,Si-APD,GaAs),(InGaAs,光通信)；AdvancePhotonics(Si);Epigap(PDチップ)
OSI(Si,Si-APD,GaAs),(InGaAs,光通信)；AdvancePhotonics(Si);Epigap(PDチップ)
◇応用
･レベルメータ ・光分光器
・高速光度測定器 ･医療機器
･トモグラフィースキャナー ・位置測定器
･レベルメータ ・光分光器
・高速光度測定器 ･医療機器
･トモグラフィースキャナー ・位置測定器
◇特長
・超低クロストーク
・UV適応製品あり(A3V-35UV)
・低暗電流 ･低容量 ・半田可能
・超低クロストーク
・UV適応製品あり(A3V-35UV)
・低暗電流 ･低容量 ・半田可能
上図: A2C-16-1.57メカニカルサイズ(単位:mm)
上図:X-線リニヤアレー
|
型式
|
素子数
|
有効径
|
ピッチ数
|
応答性
(A/W) |
熱容量（ｐｆ）
(0V,1KΩ) |
暗電流
（pA) |
立上時間
(μs) |
筐体
型式 |
|
|
面積(mm２)
|
サイズ(mm)
|
||||||||
|
X-線リニヤアレー、光伝導性アレー(Photoconductive array)
|
|||||||||
| A2C-16-1.57 |
16
|
2.35
|
2 x 1.18
|
1.57 |
0.59
@930nm |
28
|
5
|
0.1
|
A200C
|
| A2C-16-2.57 |
16
|
5.28
|
2.54 x 2.08
|
2.54 |
70
|
10
|
0.1
|
A500C
|
|
◇仕様 X-線リニヤアレー
上図:波長 VS. 応答特性
上図: バイアス va. 容量 特性