◇製品名 Si(シリコン)PD
(Nd:YAG-適応)
YAGシリーズ,単一素子･四分儀素子
OSI Optoelectronics 社
(Nd:YAG-適応)
YAGシリーズ,単一素子･四分儀素子
OSI Optoelectronics 社
◇概 要
OSI社のYAGシリーズは1060nmにて低容量、高速度、並びに低雑音を伴った高速応答を最適化にした製品です。
これらの検出器は低出力の光強度に充分対応し例えばYAGレーザ光による照射物体からの反射光を検出し
センシング等の応用に用いられます。四分儀のSPOTシリーズのディテクターは焦点或いは位置決め等の応用に
用いられます。
これらのディテクターは光起電性モード(Photovoltaic Mode)に用いられ、低速度、低雑音に対して最適な応用となり、
光伝導性モード(Photoconductive Mode)では逆バイアスを加え高速応用に用いられます。
OSI社のYAGシリーズは1060nmにて低容量、高速度、並びに低雑音を伴った高速応答を最適化にした製品です。
これらの検出器は低出力の光強度に充分対応し例えばYAGレーザ光による照射物体からの反射光を検出し
センシング等の応用に用いられます。四分儀のSPOTシリーズのディテクターは焦点或いは位置決め等の応用に
用いられます。
これらのディテクターは光起電性モード(Photovoltaic Mode)に用いられ、低速度、低雑音に対して最適な応用となり、
光伝導性モード(Photoconductive Mode)では逆バイアスを加え高速応用に用いられます。
◇仕様:Nd:YAG適応フォトダイオード
Fermionics(InGaAs)；Archcom,Fermionics,MutiPlex(レシーバ)；Archcom,MPI(高速ディテクタ)；
OSI(Si,Si-APD,GaAs),(InGaAs,光通信)；AdvancePhotonics(Si);Epigap(PDチップ)
OSI(Si,Si-APD,GaAs),(InGaAs,光通信)；AdvancePhotonics(Si);Epigap(PDチップ)
◇応用
・Nd:YAG位置決めセンサー
・レーザポインティングとポジションニング
･位置測定器 ・表面検査器 ・道標システム
・Nd:YAG位置決めセンサー
・レーザポインティングとポジションニング
･位置測定器 ・表面検査器 ・道標システム
◇特長
・Nd:YAG波長に高感度特性
・高ブレークダウン電圧
・広い面積 ･高速特性 ・高精度
・Nd:YAG波長に高感度特性
・高ブレークダウン電圧
・広い面積 ･高速特性 ・高精度
上図:YAGシリーズの容量vs.バイアス電圧特性
上図:YAGシリーズの波長vs応答特性
|
型式
|
有効径
|
応答性
(A/W) @1000nm |
暗電流
（nA) @-180V |
容量
（ｐｆ） -180V |
立上時間
(ns)1.06um -180V |
逆電圧
(V) |
筐体
型式 |
|
|
面積
(mm２) |
サイズ(mm)
|
|||||||
|
Nd:YAG 適応 単一(シングル)素子
|
||||||||
| PIN-5-YAG |
5.1
|
2.54φ
|
0.6 |
50
|
5
|
5
|
200
|
2/TO-5
|
| PIN-100-YAG |
100
|
11.28φ
|
75
|
25
|
30
|
200
|
20/Metal
|
|
|
Nd:YAG 適応 4分割(Quadrant)素子
|
||||||||
|
SPOT-9-YAG
|
19.6
|
10φ
|
0.6
|
35
|
8
|
7
|
200
|
20/Metal
|
|
SPOT-15-YAG
|
38.5
|
14φ
|
1000
|
15
|
8
|
200
|
20/Metal
|
|
