◇製品名 Si(シリコン)PD
Far UV Enhanced (ソフトX線:Far UV-適応)
X線 Si-フォトダイオード
X-線リニヤアレー
OSI Optoelectronics 社
Far UV Enhanced (ソフトX線:Far UV-適応)
X線 Si-フォトダイオード
X-線リニヤアレー
OSI Optoelectronics 社
◇概 要
・X-線フォトダイオード:
OSI社の1990年のR&Dアワードとして賞を得た製品で、シンチレーション結晶/スクリーンを用いる事無くX線帯域
の電磁気スペクトラムに適応性を持ったシリコンフォトダイオードのユニークなクラスの製品です。
200nmから0.07nmの広い帯域(6ev. ～ 17,600 eV.)に対して高感度のある,一対の電子-ホールがEph/3.63eVに
よってあらかじめ判っている非常に高い安定な量子効率に対応する入射エネルギー3.63eV.を発生します。
17.6keV以上の放射エネルギーの測定の場合は“fully Depleted High Speed and High Energy Radiation Detector"
の項をご参照下さい。逆バイアスをする事により容量(キャパシティ)が減少し、高速性が増します。バイアスを用いない
場合は低ノイズ、低ドリフトを要望される応用に適応されます。当社のフォトダイオードは350-100nmの波長に対応
可能です。また高感度な前置増幅器や低雑音のオペ-アンプを結合する事も可能です。ホームページご参照下さい。
・X-線リニヤアレー:
このシリーズは16素子のアレーより構成されております。各素子はPCBに取りまとめて取り付けられております。
X線やガンマ線の応用の場合、これらのマルチチャンネル･ディテクタはシンチレータが取り付けられている
オプション:BGO, CdWO4, 又はCsI(TI)が御座います。
BGO(Bismuth Germanate)は理想的な吸収素子:高エネルギー検出の場合に用いられます。
CdWO4(Cadmium Tungstate)は分光充分な高光出力を演出し、分光学結果を改良します。
CsI(Cesium Iodite)は機械的なショックと熱ストレスに対して十分な対応の可能なその他の高エネルギー吸収素子です。
・X-線フォトダイオード:
OSI社の1990年のR&Dアワードとして賞を得た製品で、シンチレーション結晶/スクリーンを用いる事無くX線帯域
の電磁気スペクトラムに適応性を持ったシリコンフォトダイオードのユニークなクラスの製品です。
200nmから0.07nmの広い帯域(6ev. ～ 17,600 eV.)に対して高感度のある,一対の電子-ホールがEph/3.63eVに
よってあらかじめ判っている非常に高い安定な量子効率に対応する入射エネルギー3.63eV.を発生します。
17.6keV以上の放射エネルギーの測定の場合は“fully Depleted High Speed and High Energy Radiation Detector"
の項をご参照下さい。逆バイアスをする事により容量(キャパシティ)が減少し、高速性が増します。バイアスを用いない
場合は低ノイズ、低ドリフトを要望される応用に適応されます。当社のフォトダイオードは350-100nmの波長に対応
可能です。また高感度な前置増幅器や低雑音のオペ-アンプを結合する事も可能です。ホームページご参照下さい。
・X-線リニヤアレー:
このシリーズは16素子のアレーより構成されております。各素子はPCBに取りまとめて取り付けられております。
X線やガンマ線の応用の場合、これらのマルチチャンネル･ディテクタはシンチレータが取り付けられている
オプション:BGO, CdWO4, 又はCsI(TI)が御座います。
BGO(Bismuth Germanate)は理想的な吸収素子:高エネルギー検出の場合に用いられます。
CdWO4(Cadmium Tungstate)は分光充分な高光出力を演出し、分光学結果を改良します。
CsI(Cesium Iodite)は機械的なショックと熱ストレスに対して十分な対応の可能なその他の高エネルギー吸収素子です。
◇仕様:UV Enhanced (ソフトX線:Far UV-適応) X線適応フォトダイオード
| 型式 | 有効径 | 容量 (nF) Max, @0V |
シャント 抵抗(MΩ) -10mV |
筐体 形状 |
|
|
面積
(mm２) |
サイズ
|
||||
|
X線適応PD、メタルパッケージ
|
|||||
| XUV-005 | 5 | 2.57 φ | 0.3 | 2000(typ) | 22/TO-5 |
| XUV-020 | 20 | 5.00φ | 1.2 | 500 | 23/TO-8 |
| XUV-035 | 35 | 6.78x5.59 | 2 | 300 | 23/TO-8 |
| XUV-100 | 100 | 11.33φ | 6 | 100 | 28/BNC |
|
UV適応PD、セラミックパッケージ
|
|||||
| XUV-50C | 50 | 8.02 φ |
2
|
200M(typ) |
25/Ceramic
|
| XUV-100C | 100 | 10.00φ | 6 | 100M | 25/Ceramic |
Fermionics(InGaAs)；Archcom,Fermionics,MutiPlex(レシーバ)；Archcom,MPI(高速ディテクタ)；
OSI(Si,Si-APD,GaAs),(InGaAs,光通信)；AdvancePhotonics(Si);Epigap(PDチップ)
OSI(Si,Si-APD,GaAs),(InGaAs,光通信)；AdvancePhotonics(Si);Epigap(PDチップ)
◇応用
･パルス検出 ・光通信 ･バーコード読み取り ・医療機器
･パルス検出 ・光通信 ･バーコード読み取り ・医療機器
◇特長
・高速応答 ・低容量 ・低暗電流 ･広ダイナミックレンジ
・高速応答 ・低容量 ・低暗電流 ･広ダイナミックレンジ
上図: A2C-16-1.57メカニカルサイズ(単位:mm)
X-線リニヤアレー
|
型式
|
素子数
|
有効径
|
ピッチ数
|
応答性
(A/W) |
熱容量
（ｐｆ） 0V,1KΩ |
暗電流
（pA) |
立上
時間 (μs) |
筐体
型式 |
|
|
面積
(mm２) |
サイズ(mm)
|
||||||||
|
X-線リニヤアレー、光伝導性アレー(Photoconductive array)
|
|||||||||
| A2C-16-1.57 |
16
|
2.35
|
2 x 1.18
|
1.57 |
0.59
@930nm |
28
|
5
|
0.1
|
A200C
|
| A2C-16-2.57 |
16
|
5.28
|
2.54 x 2.08
|
2.54 |
70
|
10
|
0.1
|
A500C
|
|
◇仕様 X-線リニヤアレー
