◇製品名 Si(シリコン)PD
UV Enhanced (UV-適応)シリーズ
逆転層(Inversion Layer）&プラナー分散(Planar Diffused)
Si-フォトダイオード
OSI Optoelectronics 社
UV Enhanced (UV-適応)シリーズ
逆転層(Inversion Layer）&プラナー分散(Planar Diffused)
Si-フォトダイオード
OSI Optoelectronics 社
◇概 要
OSI社は逆転層チャンネル(Inversion channel)シリーズとプラナー分散(Planar Diffused)シリーズの2タイプが有ります。
2タイプとも、ＵＶ帯域の感度のある低ノイズ検出用として設計されております。逆転層構造(Inversion Layer Structure)
UV適応PDは100%内部量子効率を示し、低出力の光測定に最適です。これらは高シャント抵抗、低ノイズ並びに
高ブレークダウン電圧の特性があります。面、量子効率をまたがって、応答均一性は逆バイアスで面、量子効率が
5~10ボルト改良されます。光起電性(Photovoltaic)モード(バイアス無し)において、容量は分散デバイスより高く、供給
逆電圧で急激に下がります。光子電流非線形性は分散タイプと比較して逆転層デバイスに対して低光子電流を設定
します。波長700nm以下において、応答特性は温度により僅か変化します。
プラナー分散(Planar Diffused)構造(VU-Dシリーズ)のUV適応フォトダイオードは逆転層構造(Inversion Layer Structure)
以上により低い容量やより高い応答性等の意味のある長所があります。また逆転層構造と比較し、より高い入力パワーに
まで光子電流の直線性があります。これらのデバイスは逆転層構造デバイス(Inversion Layer Device)と比較し低い応答性
と量子効率を持っております。これらは2種類:UVDとUVE:のプラナーUV対応フォトダイオードです。近赤外帯域の特性が
優れているUVEシリーズの特性を除いて両シリーズともほとんど同じようなE-O(Electro-Optic)特性を持っております。
UVDデバイスは970nmでピークがあり、UVEデバイスは720nmでピークが御座います。両シリーズともバイアスにより
低容量、高速応答、並びに広ダイナミックレンジが得られます。又は温度の変動に対して低ドリフトの応用の場合、光起電
性(Photovoltaic)(バイアス無し)の動作が用いられます。 UVEデバイスはUDVデバイスの反対応部品よりもより高いシャン
ト抵抗、一方高い容量を持っております。これらのディテクターは下図のようにOP-AMPでカップリングされます。
OSI社は逆転層チャンネル(Inversion channel)シリーズとプラナー分散(Planar Diffused)シリーズの2タイプが有ります。
2タイプとも、ＵＶ帯域の感度のある低ノイズ検出用として設計されております。逆転層構造(Inversion Layer Structure)
UV適応PDは100%内部量子効率を示し、低出力の光測定に最適です。これらは高シャント抵抗、低ノイズ並びに
高ブレークダウン電圧の特性があります。面、量子効率をまたがって、応答均一性は逆バイアスで面、量子効率が
5~10ボルト改良されます。光起電性(Photovoltaic)モード(バイアス無し)において、容量は分散デバイスより高く、供給
逆電圧で急激に下がります。光子電流非線形性は分散タイプと比較して逆転層デバイスに対して低光子電流を設定
します。波長700nm以下において、応答特性は温度により僅か変化します。
プラナー分散(Planar Diffused)構造(VU-Dシリーズ)のUV適応フォトダイオードは逆転層構造(Inversion Layer Structure)
以上により低い容量やより高い応答性等の意味のある長所があります。また逆転層構造と比較し、より高い入力パワーに
まで光子電流の直線性があります。これらのデバイスは逆転層構造デバイス(Inversion Layer Device)と比較し低い応答性
と量子効率を持っております。これらは2種類:UVDとUVE:のプラナーUV対応フォトダイオードです。近赤外帯域の特性が
優れているUVEシリーズの特性を除いて両シリーズともほとんど同じようなE-O(Electro-Optic)特性を持っております。
UVDデバイスは970nmでピークがあり、UVEデバイスは720nmでピークが御座います。両シリーズともバイアスにより
低容量、高速応答、並びに広ダイナミックレンジが得られます。又は温度の変動に対して低ドリフトの応用の場合、光起電
性(Photovoltaic)(バイアス無し)の動作が用いられます。 UVEデバイスはUDVデバイスの反対応部品よりもより高いシャン
ト抵抗、一方高い容量を持っております。これらのディテクターは下図のようにOP-AMPでカップリングされます。
◇仕様 逆転層構造(Inversion Layer);プラナー分散(Planar Diffused) UV適応フォトダイオード
| 型式 | 有効径 | 応答性 (A/W) (typ) |
容量(max) (pF)@0V |
シャント 抵抗(Ω) -10mV |
立上時間 (μs),0V 254nm,50Ω |
筐体 形状 |
|
|
面積
(mm２) |
サイズ
|
||||||
|
UV適応PD、メタルパッケージ、逆転層構造(Inversion Layer)
|
|||||||
| UV-001 | 0.8 | 1.0 φ | 0.14 (@254nm) |
60 | 500M(typ) | 0.2(typ) | 5/TO-5 |
| UV-005 | 5.1 | 2.54φ | 300 | 200M |
0.9
|
5/TO-5 | |
| UV-015 | 15 | 3.05x3.81 | 800 | 100M |
2.0
|
5/TO-5 | |
| UV-20 | 20 | 5.08φ | 1000 | 50M |
2.0
|
6/TO-8 | |
| UV-35 | 35 | 6.6x5.33 | 1600 | 30M |
3.0
|
6/TO-8 | |
| UV-50 | 50 | 7.87φ | 2500 | 20M |
3.5
|
11/BNC | |
| UV-50L* |
50
|
7.87φ
|
2500
|
20M |
3.5
|
10/Lo-Prof
|
|
| UV-100 |
100
|
11.28φ
|
4500
|
10M |
5.9
|
11/BNC
|
|
| UV-100L | 100 | 11.28φ | 4500 | 10M |
5.9
|
10/Lo-Prof | |
|
UV適応PD、プラスチックパッケージ、逆転層構造(Inversion Layer)
|
|||||||
| FIL-UV005 |
5.1
|
2.54φ
|
0.14
(@254nm) |
300
|
100M(typ) |
0.9
|
14/Plastic
|
| FIL-UV20 | 20 | 5.08φ | 1000 | 50M |
2.0
|
14/Plastic | |
| UV-35P |
35
|
6.60x5.33
|
1600
|
30M |
3.0
|
25/Plastic
|
|
| FIL-UV50 |
50
|
7.87φ
|
2500
|
20M |
3.5
|
15/Plastic
|
|
| FIL-UV100 |
100
|
11.28φ
|
4500
|
10M |
5.9
|
15/Plastic | |
|
スーパーUV適応PD、メタルパッケージ、プラナー分散(Planar Diffused)
|
|||||||
| OSD1.2-7U |
1.2
|
1.1sq
|
0.1@254nm
|
40
|
5.0G(typ) |
0.1
|
7/TO-18
|
| OSD1.2-7Q |
1.2
|
1.1sq
|
0.12
|
40
|
5.0G |
0.1
|
7/TO-18 |
| OSD5.8-7U | 5.8 | 2.4sq |
0.1
|
180
|
3.0G |
0.4
|
5/TO-5
|
| OSD5.8-7Q |
5.8
|
2.4sq
|
0.12
|
180
|
3.0G |
0.4
|
5/TO-5
|
| OSD35-7Q |
33.6
|
5.8sq
|
0.12
|
1000
|
0.5G |
2.0
|
3/TO-8 |
| OSD35-7CO |
33.6
|
5.8sq
|
0.13
|
1000
|
0.5G |
2.0
|
25/Ceramic
|
|
UD005D
|
5.7
|
2.4sq
|
0.1@254nm
|
100
|
4G
|
0.1
|
5/TO-5
|
|
UD-013D
|
13
|
3.6sq
|
225
|
2G
|
0.2
|
5/TO-5
|
|
|
UV-035D
|
34
|
5.8sq
|
550
|
0.5G
|
0.4
|
6/TO-8
|
|
|
スーパーUV適応PD、プラスチックパッケージ, プラナー分散(Planar Diffused)
|
|||||||
| UV-005DC |
5.7
|
2.4sq
|
0.1@254nm
|
100
|
4G(typ)
|
0.1
|
25/Ceramic
|
|
UV-035DC
|
34
|
5.8sq
|
550
|
0.5G
|
0.2
|
25/Ceramic
|
|
|
UV-100DC
|
100
|
10sq
|
1750
|
0.2G
|
1.0
|
25/Ceramic
|
|
|
UVEシリーズPD、メタルパッケージ、プラナー分散(Planar Diffused)
|
|||||||
| UV-005E |
5.7
|
2.4sq
|
0.1@254nm
|
200
|
10G(typ)
|
0.15μ
|
5/TO-5
|
|
UV-013EC
|
13
|
3.6sq
|
400
|
5G
|
0.3μ
|
5/TO-5 | |
|
UV-035E
|
34
|
5.8sq
|
1000
|
1G
|
0.8μ
|
6/TO-8
|
|
|
UVEシリーズPD、セラミックパッケージ、プラナー分散(Planar Diffused)
|
|||||||
| UV-005EC |
5.7
|
2.4sq
|
0.1@254nm
|
200
|
10G(typ)
|
0.15
|
25/Ceramic
|
|
UV-035EC
|
34
|
5.8sq
|
1000
|
1.0G
|
0.8
|
25/Ceramic
|
|
|
UV-100EC
|
100
|
10sq
|
2500
|
0.5G
|
1.0
|
25/Ceramic
|
|
Fermionics(InGaAs)；Archcom,Fermionics,MutiPlex(レシーバ)；Archcom,MPI(高速ディテクタ)；
OSI(Si,Si-APD,GaAs),(InGaAs,光通信)；AdvancePhotonics(Si);Epigap(PDチップ)
OSI(Si,Si-APD,GaAs),(InGaAs,光通信)；AdvancePhotonics(Si);Epigap(PDチップ)
◇応用
･公害モニター ・医療機器 ･水洗浄器・ＵＶ照射メータ
・分光器 ･蛍光メータ
･公害モニター ・医療機器 ･水洗浄器・ＵＶ照射メータ
・分光器 ･蛍光メータ
◇特長
・逆転層シリーズ:100% 内部QE ・非常に高いシャント抵抗 ・高安定性
･Planar Diffused シリーズ: IR 抑圧, 高速応答, ･優れたUV応答性
・逆転層シリーズ:100% 内部QE ・非常に高いシャント抵抗 ・高安定性
･Planar Diffused シリーズ: IR 抑圧, 高速応答, ･優れたUV応答性
プラナー分散標準スペクトル応答特性
逆転層構造標準スペクトル応答特性
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