◇製品名 シリコンフォトディテクタ
プラスチックキャップシリーズ
導線フレームモールドフォトダイオード
Plastic Encapsulated Series
OSI Optoelectronics 社
プラスチックキャップシリーズ
導線フレームモールドフォトダイオード
Plastic Encapsulated Series
OSI Optoelectronics 社
◇概 要
プラスチックキャップシリーズ(導線フレームモールドフォトダイオード):
OSI Optoelectronics社は高品質、高信頼性のあるプラスチックのキャップ付きのフォトダイオードを提案します。これ
らのモールドデバイスは例えば標準T1やT13/4を含みSOT-23のようなサーフェースマウントバージョンのような様々な
形態或いはサイズのパッケージを用意しております。これらはPCB上や厳格な環境に置かれているハンドヘルドデバイス
等に良く使われ、好評です。これらのデバイスは近赤外のスペクトルにおいて優れた応答性があり、700-1100nmレンジ
のみ伝送する可視光のブロッキングコンパウンドに用いられます。これらは早いスイッチング時間、低暗電流と同様に
低容量です。またこれらの製品は光伝導性(Photoconductive)または光起電性(Photovolataic)的な使われ方は可能です。
プラスチックキャップシリーズ(導線フレームモールドフォトダイオード):
OSI Optoelectronics社は高品質、高信頼性のあるプラスチックのキャップ付きのフォトダイオードを提案します。これ
らのモールドデバイスは例えば標準T1やT13/4を含みSOT-23のようなサーフェースマウントバージョンのような様々な
形態或いはサイズのパッケージを用意しております。これらはPCB上や厳格な環境に置かれているハンドヘルドデバイス
等に良く使われ、好評です。これらのデバイスは近赤外のスペクトルにおいて優れた応答性があり、700-1100nmレンジ
のみ伝送する可視光のブロッキングコンパウンドに用いられます。これらは早いスイッチング時間、低暗電流と同様に
低容量です。またこれらの製品は光伝導性(Photoconductive)または光起電性(Photovolataic)的な使われ方は可能です。
◇仕様: ・プラスチックキャップシリーズ(導線フレームモールドフォトダイオード)
| 型式 | 有効径 |
波長範囲
nm |
応答性
(A/W) |
容量
(pF),-10V |
暗電流 (nA),-10V |
立上
時間ns, -10V,50Ω |
パッケージング タイプ |
|
|
面積mm2
|
サイズ
mm |
|||||||
|
プラスチックキャップシリーズ(導線フレームモールドフォトダイオード)
|
||||||||
| PIN-01-C1 | 0.2 |
0.4 sq
|
350-1100
|
0.40 typ
|
21/4 typ
|
2 ,typ | 11 |
59/樹脂モールド |
| PIN-01-F1 |
同上
|
同上
|
700-1100
|
同上
|
同上
|
同上
|
同上
|
同上
|
| PIN-01-CT3 |
同上
|
同上
|
350-1100
|
同上
|
同上
|
同上
|
同上
|
58/樹脂モールド
|
| PIN-01-FT3 |
同上
|
同上
|
700-1100
|
同上
|
同上
|
同上
|
同上
|
同上
|
| PIN-01-CT5 |
同上
|
同上
|
350-1100
|
同上
|
同上
|
同上
|
同上
|
同上
|
| PIN-01-FT5 |
同上
|
同上
|
700-1100
|
同上
|
同上
|
同上
|
同上
|
同上
|
| PIN-01-CLSL |
同上
|
同上
|
350-1100
|
0.45
|
同上
|
同上
|
同上
|
61/樹脂モールド
|
| PIN-01-FLSL |
同上
|
同上
|
700-1100
|
0.40
|
同上
|
同上
|
同上
|
同上
|
| PIN-0..81-LLS |
0.81
|
1.02
|
350-1100
|
0.55
|
10 / 2
|
同上
|
同上
|
62/導線セラミック
|
| PIN-0.81-CSL |
同上
|
同上
|
350-1100
|
同上
|
同上
|
同上
|
同上
|
60/樹脂モールド
|
| PIN-4.0-LLS |
3.9
|
2.31 x 1.68
|
350-1100
|
同上
|
60 / 10
|
5
|
同上
|
62/導線セラミック
|
| PIN-4.0-CSL |
同上
|
350-1100
|
同上
|
同上
|
同上
|
同上
|
60/樹脂モールド
|
|
| PIN-07-CSL |
8.1
|
2.84 sq
|
350-1100
|
同上
|
85 / 15
|
同上
|
50
|
57/樹脂モールド
|
| PIN-07-FSL |
同上
|
同上
|
700-1100
|
同上
|
同上
|
同上
|
同上
|
同上
|
| PIN-07-CSLR |
同上
|
同上
|
350-1100
|
同上
|
同上
|
同上
|
同上
|
56/樹脂モールド
|
| PIN-07-FSLR |
同上
|
同上
|
700-1100
|
同上
|
同上
|
同上
|
同上
|
同上
|
| PIN-08-CSL-F |
8.4
|
2.9 sq
|
350-720
|
0.43@660nm
|
-/ 25
|
-
|
75
|
60/樹脂モールド
|
| PIN-8.0-LLS |
同上
|
同上
|
350-1100
|
0.55
|
100 / 25
|
10
|
50
|
62/導線セラミック
|
| PIN-8.0-CSL |
同上
|
同上
|
350-1100
|
同上
|
同上
|
同上
|
同上
|
60/樹脂モールド
|
| PIN-16-CSL |
16
|
4.0 sq
|
350-1100
|
同上
|
330 / 55
|
5
|
100
|
同上
|
Fermionics(InGaAs)；Archcom,Fermionics,MutiPlex(レシーバ)；Archcom,MPI(高速ディテクタ)；
OSI(Si,Si-APD,GaAs),(InGaAs,光通信)；AdvancePhotonics(Si);Epigap(PDチップ)
OSI(Si,Si-APD,GaAs),(InGaAs,光通信)；AdvancePhotonics(Si);Epigap(PDチップ)
上図:応答VS波長特性
上図:応答VS波長特性
上図:正規化出力VS角度特性