◇製品名 Si(シリコン)PD
Photovoltaic(光起電性)シリーズ
低雑音フォトダイオード
OSI Optoelectronics 社
Photovoltaic(光起電性)シリーズ
低雑音フォトダイオード
OSI Optoelectronics 社
◇概 要
当社の光伝導性ディテクタシリーズは高速或いは高感度な応用に用いられます。スペクトル範囲は350-1100nmを
超える範囲にまで至り可視光から近赤外の領域への応用に適応し、更に350nmから550nmの帯域の応答に対しては
ブルー対応製品をお勧めします。
これらのデバイスは高いシャント抵抗、低雑音特性であり、長期安定性をもっております。これらのバイアスを掛けずに
動作させますとＤＣ又は低速度応用において広範囲の温度変動に対して安定を保ちます。高い光のレベル(≧10mW/cm２）
の場合は直線性(リニヤリティー)をお考え下さい。
これらのデバイスは逆電圧は適用されません。応答時間のほんの僅かな改良される点は僅かなバイアスで得られます。
数ボルト( >3V)以上の逆電圧を適用しますとデバイスにダメージを与えてしまします。もし、高速応用を適用される
場合はPhotoconductiveシリーズが考えられます。
当社の光伝導性ディテクタシリーズは高速或いは高感度な応用に用いられます。スペクトル範囲は350-1100nmを
超える範囲にまで至り可視光から近赤外の領域への応用に適応し、更に350nmから550nmの帯域の応答に対しては
ブルー対応製品をお勧めします。
これらのデバイスは高いシャント抵抗、低雑音特性であり、長期安定性をもっております。これらのバイアスを掛けずに
動作させますとＤＣ又は低速度応用において広範囲の温度変動に対して安定を保ちます。高い光のレベル(≧10mW/cm２）
の場合は直線性(リニヤリティー)をお考え下さい。
これらのデバイスは逆電圧は適用されません。応答時間のほんの僅かな改良される点は僅かなバイアスで得られます。
数ボルト( >3V)以上の逆電圧を適用しますとデバイスにダメージを与えてしまします。もし、高速応用を適用される
場合はPhotoconductiveシリーズが考えられます。
◇仕様 Photovoltaic(光起電性)シリーズ
| 型式 | 有効径 | 応答性 標準 (A/W) |
容量 (max)(pF) @-10V |
シャント抵抗 (typ)(ＧΩ) -10mV |
立上り 時間(ns)0V 632nm,50Ω |
筐体 形状 |
|
|
面積
(mm２) |
サイズ
|
||||||
|
DPシリーズ、メタルパッケージ
|
|||||||
| CD-1705 | 0.88 | 0.93 sq | 0.6(@850nm) | 70 | 10 | 2000(typ) | 71/Plastic |
| PIN-2DPI | 1.1 | 0.81x1.37 |
0.6(@970nm)
|
150 | 10 |
30
|
4/TO-18 |
| PIN-125DPL | 1.6 | 1.27sq | 160 | 10 |
30
|
8/TO-18 | |
| PIN-3CDPI | 32 | 1.27x2.54 | 320 | 5.0 |
50
|
4/TO-18 | |
| PIN-3CDP | 32 | 1.27x2.54 | 320 | 5.0 |
50
|
7/TO-18 | |
| PIN-5DPI | 5.1 | 2.54φ | 500 | 4.0 |
60
|
2/TO-5 | |
| PIN-5DP |
5.1
|
2.54φ
|
500
|
4.0
|
60
|
5/TO-5
|
|
| PIN-13DPI |
13
|
3.6sq
|
1200
|
3.5
|
150
|
2/TO-5
|
|
| PIN-13DP |
13
|
3.6sq
|
1200
|
3.5
|
150
|
5/TO-5
|
|
| PIN-6DPI | 16.4 | 4.57φ | 2000 | 2.0 |
220
|
3/TO-8 | |
| PIN-6DP |
16.4
|
4.57φ
|
2000
|
2.0
|
220
|
6/TO-8
|
|
| PIN-44DPI |
44
|
6.6sq
|
4300
|
1.0
|
475
|
3/TO-8
|
|
| PIN-44DP | 44 | 6.6sq | 4300 | 1.0 |
475
|
6/TO-8 | |
| PIN-10DPI |
100
|
11.28φ
|
9800
|
0.2
|
1000
|
10/Lo-Prof
|
|
| PIN-10DP |
100
|
11.28φ
|
9800
|
0.2
|
1000
|
11/BNC
|
|
| PIN-25DP |
613
|
27.9φ
|
60000
|
0.1
|
6600
|
12/BNC
|
|
|
DPシリーズ、プラスチックパッケージ
|
|||||||
| PIN-22DP |
200
|
10x20
|
0.6(@970nm)
|
20000
|
0.2
|
2200
|
27/BNC
|
Fermionics(InGaAs)；Archcom,Fermionics,MutiPlex(レシーバ)；Archcom,MPI(高速ディテクタ)；
OSI(Si,Si-APD,GaAs),(InGaAs,光通信)；AdvancePhotonics(Si);Epigap(PDチップ)
OSI(Si,Si-APD,GaAs),(InGaAs,光通信)；AdvancePhotonics(Si);Epigap(PDチップ)
◇応用
･パルス検出 ・光通信
・バーコード読み取り ・光リモート制御
・医療機器 ・高速光度測定
･パルス検出 ・光通信
・バーコード読み取り ・光リモート制御
・医療機器 ・高速光度測定
◇特長
・高速応答特性 ・低容量
・低暗電流 ･広ダイナミックレンジ
･広波長帯域にて適用
・高速応答特性 ・低容量
・低暗電流 ･広ダイナミックレンジ
･広波長帯域にて適用
シャント抵抗 対 温度特性
標準スペクトル応答特性
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