OSI Optoelectronics 社, Si(シリコン)PD，　超低雑音大口径フォトダイオード, Large Active Area, High Speed PD

◇製品名　Si(シリコン) APD
アバランシェフォトダイオード
Ultra High Gain Silicon Photodetectors
OSI Optoelectronics 社

◇概　要
・Si-アバランシェフォトダイオード:
Si-アバランシェフォトダイオードは衝突させるイオンにより利得を得るために内部増幅作用を用います。その結果、
高応答性のデバイスの最適なシリーズとなっており、優れた感度があります。当社には平坦なウインドウ、又はファイ
バー応用のボールレンズ付きの様々な製品が御座います。

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株式会社ネオトロン

◇仕様:　・Si-アバランシェフォトダイオード

型式	有効径		ピーク応答性波長 nm	応答性 (A/W) G=100	暗電流 (nA) G=100	容量 (pF)1MHz, G=100	立上時間 (ns),850nm G=100, 50Ω	動作バイアス電圧範囲（V),G=100	筐体形状
型式	面積 (mm^２)	サイズ mm	ピーク応答性波長 nm	応答性 (A/W) G=100	暗電流 (nA) G=100	容量 (pF)1MHz, G=100	立上時間 (ns),850nm G=100, 50Ω	動作バイアス電圧範囲（V),G=100	筐体形状
Si-アバランシェフォトダイオード
APD-300	0.07	0.3 φ	820 typ	42 typ @850nm	1.0 typ	1.5 typ	0..4 typ	130-280	68/TO-18 Flat window 69/TO-18 Ball lens
APD-300L	0.07	0.3 φ			1.0	1.5	0.4
APD-500	0.2	0.5 φ			1.8	2.5	0.5
APD-500L	0.2	0.5 φ			1.8	2.5	0.5
APD-900	0.64	0.9 φ			2.5	7	1.0		70/ TO-5
APD-1500	1.8	1.5 φ			7.0	12	2.0
APD-3000	7.1	3.0 φ			15	40	5.0

Fermionics(InGaAs)；Archcom,Fermionics,MutiPlex(レシーバ)；Archcom,MPI(高速ディテクタ)；
OSI(Si,Si-APD,GaAs),(InGaAs,光通信)；AdvancePhotonics(Si);Epigap(PDチップ)

◇応用
･高速光通信　　・レーザレンジファインダー
・バーコード読取り･光リモート制御　
・医療機器　　・高速光度測定器

◇特長
・高速応答性･広バンド幅/高速応答
・低雑音　・ハ-メッチックシールド　
・TO-パッケージ　・低バイアス電圧

⇒メーカホームページへ(Si-APD)

上図:利得 VS バイアス電圧特性

上図:応答VS波長特性