OSI Optoelectronics 社, Si(シリコン)PD，　重複二重側面状リニヤフォトダイオード, 　Tera-Lateral Linear Photodiode,

◇製品名　Si(シリコン)PD
Tera-Lateral Linear Photodiode
重複二重側面状リニヤフォトダイオード
OSI Optoelectronics 社

◇概　要　　一方向フォトダイオード
重複二重側面ポジションセンサーは一次元ないしは二次元の測定用として一つの単一の抵抗層から成っております。
これらは一次の位置センサー用として共通アノードと二つのカソードがある場合と又は二次元の位置センサー用として
四つのカソードがあります。これらのディテクターは広帯域のスペクトル範囲の測定に有効です。また高速応答特性を
持ち、均一性、低暗電流、そして、感度面の64%以上の優れた直線性特性を持っております。逆バイアスは高速レベル
のリニヤな最適な電流値を得る場合にディテクタに供給されます。
･二重側面PSD上の推薦できる最大パワー密度は10mW/cm²になります。
・1mmφスポット径の応答の均一性はSC-25D とSD-50Dに対して±5%、その他の二重側面状デバイスに対して±2%
となります。

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株式会社ネオトロン

◇仕様　　重複ニ重側面位置センサー(Tela-Lateral Position Sensor)

型式	有効径		位置検出誤差(um) 長さ80% 面積64%以上	応答性標準 (A/W),typ	暗電流 (uA),typ -15V	容量 (pF), typ -15V	立上時間 (us),670nm 50Ω, -15V	内部電荷抵抗 (kΩ) min/max	筐体形状
型式	面積 (mm²)	サイズ mm	位置検出誤差(um) 長さ80% 面積64%以上	応答性標準 (A/W),typ	暗電流 (uA),typ -15V	容量 (pF), typ -15V	立上時間 (us),670nm 50Ω, -15V	内部電荷抵抗 (kΩ) min/max	筐体形状
一次元シリーズ(One-dimensional Series)，プラスチックパッケージ
LSC-5D	11.5	5.3 x 2.2	0.04 typ	0.42 (@670nm)	0.01	50	0.25 typ	2 / 50	47/Plastic
LSC-30D	122	30 x 4.1	0.24	0.42 (@670nm)	0.025	300	3.0	4 / 100	46/Plastic
ニ次元シリーズ(Two-dimensional Series)，メタルパッケージ
SC-4D	6.45	2.54 sq	0.08	0.42 (@670nm)	0.005	20	0.66	3 / 30	41/TO-5
SC-10D	103	10.16 sq	1.3		0.025	300	1.0	3 / 30	44/Special
SC-25D	350	18.8 sq	2.5		0.1	1625	5.0	3 / 30	45/Special
SC-50D	957	30.94 sq	5.0		0.25	3900	13.0	3 / 30	21/Special
ニ次元シリーズ(Two-dimensional Series)，プラスチックパッケージ
FIL-C4DG	6.45	2.54 sq	0.08	0.42 (@670nm)	0.005	20	0.66	3 / 30	14/Plastic
FIL-C10DG	103	10.16 sq	1.3	0.42 (@670nm)	0.025	300	1.0	3 / 30	15/Plastic

Fermionics(InGaAs)；Archcom,Fermionics,MutiPlex(レシーバ)；Archcom,MPI(高速ディテクタ)；
OSI(Si,Si-APD,GaAs),(InGaAs,光通信)；AdvancePhotonics(Si);Epigap(PDチップ)

⇒詳細はメーカホームページへ

上図:波長vs. スペクトル応答特性

上図:標準位置検出性

◇特長
・高速応答性　･低容量　　・低暗電流
・広いダイナミックレンジ　　･高応答性

◇応用
･パルスディテクタ　・光通信応用　　・バーコード読込み
･光リモートコントロール　・医療機器　　・高速光度測定器