◇製品名 Si(シリコン)PD
Duo-Lateral Linear Photodiode
二重側面状リニヤフォトダイオード
OSI Optoelectronics 社
Duo-Lateral Linear Photodiode
二重側面状リニヤフォトダイオード
OSI Optoelectronics 社
◇概 要 一方向フォトダイオード：メタルパッケージ(バイアス=-15V)：メタルパッケージ
スーパーリニヤポジションセンサーは当社の特殊な二重側面状(Duo-Lateral)技術により、活性面上の中心から光スポッ
トの中心の連続した変位の直線的な出力比を表示します。連続的な位置センサーとしては、これらのディテクタは平行
にはなっておりません。センシング面の64%以上99%の位置精度の能力があります。これらの精度は二重側面状
(Duo-Lateral)技術に基づいており、これは分離している二面の抵抗層を持ったディテクターより構成されており、
これらはチップの上面部と低面に取り付いております。一次元、或いは二次元の位置測定が可能となります。逆バイアス
は高速レベルのリニヤな最適な電流値を得る場合にディテクタに供給されます。二重側面PSD上の推薦できる最大パワ
ー密度は1mW/cm2になります。最適な特性を得るには、入射ビームは直径1mm以下のスポット径を持った活性面に
垂直にして測定して下さい。
スーパーリニヤポジションセンサーは当社の特殊な二重側面状(Duo-Lateral)技術により、活性面上の中心から光スポッ
トの中心の連続した変位の直線的な出力比を表示します。連続的な位置センサーとしては、これらのディテクタは平行
にはなっておりません。センシング面の64%以上99%の位置精度の能力があります。これらの精度は二重側面状
(Duo-Lateral)技術に基づいており、これは分離している二面の抵抗層を持ったディテクターより構成されており、
これらはチップの上面部と低面に取り付いております。一次元、或いは二次元の位置測定が可能となります。逆バイアス
は高速レベルのリニヤな最適な電流値を得る場合にディテクタに供給されます。二重側面PSD上の推薦できる最大パワ
ー密度は1mW/cm2になります。最適な特性を得るには、入射ビームは直径1mm以下のスポット径を持った活性面に
垂直にして測定して下さい。
◇仕様 二重側面スーパーリニヤ フォトダイオード(Duo-Lateral Super Liniar Photodiode)
| 型式 | 有効径 |
位置検出
誤差(um) 長さ80% 面積64%以上 |
応答性 標準 (A/W),typ |
暗電流 (nA),typ -15V(SL) -5V(DL) |
容量 (pF), typ -15V(SL) -5V(DL) |
立上 時間 (us),670nm 50Ω, typ |
内部電 荷抵抗 (kΩ) min/max |
筐体 形状 |
|
|
面積
(mm2) |
サイズ
mm |
||||||||
|
一次元シリーズ(One-dimensional Series)，メタルパッケージ(Vbias=-15V)
|
|||||||||
| SL3-1 | 3 | 3 x 1 |
3 typ
|
0.4 (@670nm) |
5 | 3 | 0.04 | 15/80 |
41/TO-5
|
| SL5-1 | 5 | 5 x 1 |
5
|
10 | 5 |
0.10
|
20/100
|
42/TO-8
|
|
|
一次元シリーズ(One-dimensional Series)，セラミックパッケージ(Vbias=-15V)
|
|||||||||
| SL3-2 | 3 | 3 x 1 |
3
|
0.4 (@670nm) |
5 | 3 | 0.04 | 15/80 |
48/8pin
DIP |
| SL5-2 | 5 | 5 x 1 |
5
|
10 | 5 |
0.10
|
20/100
|
||
| SL10-1 | 20 | 10 x 2 |
10
|
200 | 20 | 0.40 | 40/250 |
55/14pin,DIP
|
|
| SL15 | 15 | 15 x 1 |
15
|
150 | 15 |
0.60
|
60/300
|
49/24pin,DIP
|
|
| SL30 | 120 | 30 x 4 |
30
|
150 | 125 | 1.0 | 40/80 |
51/Ceramic
|
|
| SL76-1 | 190 | 76 x 2.5 |
76
|
100 | 190 |
14.0
|
120/600
|
50/Special
|
|
|
ニ次元シリーズ(Two-dimensional Series)，メタルパッケージ(Vbias=-5V)
|
|||||||||
| DL-2 | 4 | 2 sq |
30
|
0.4 (@670nm) |
30 | 10 | 0.025 | 5/25 |
37/TO-8
|
| DLS-2 | 4 | 2 sq |
30
|
10 | 8 |
0.025
|
|||
| DLS-25 | 4 | 2 sq |
30
|
10 | 8 | 0.025 |
75/TO-25
|
||
| DL-4 | 16 | 4 sq |
50
|
50 | 35 |
0.08
|
37/TO-8
|
||
| DLS-4 | 16 | 4 sq |
50
|
25 | 30 | 0.08 |
37/TO-8
|
||
| DL-10 | 100 | 10 sq |
100
|
500 | 175 |
0.2
|
34/Special
|
||
| DL-20 | 400 | 20 sq |
200
|
2000 | 600 |
1.0
|
55/Special
|
||
|
ニ次元シリーズ(Two-dimensional Series)，セラミックパッケージ(Vbias=-5V)
|
|||||||||
| DLS-10 | 100 | 10 sq |
100
|
0.4
(@670nm) |
50
|
160 |
0.2
|
5/25
|
36/Ceramic
|
| DLS-20 | 400 | 20 sq |
200
|
100 | 580 |
1.0
|
36/Ceramic
|
||
| ニ次元シリーズ(Two-dimensional Series)，低価格セラミックパッケージ(Vbias=-5V) | |||||||||
| DL-10C | 100 | 10 sq |
100
|
0.4
(@670nm) |
500 | 175 |
0.2
|
5/25
|
38/Ceramic
|
| DL-20C | 400 | 20 sq |
200
|
2000 | 600 |
1.0
|
39/Ceramic
|
||
Fermionics(InGaAs)；Archcom,Fermionics,MutiPlex(レシーバ)；Archcom,MPI(高速ディテクタ)；
OSI(Si,Si-APD,GaAs),(InGaAs,光通信)；AdvancePhotonics(Si);Epigap(PDチップ)
OSI(Si,Si-APD,GaAs),(InGaAs,光通信)；AdvancePhotonics(Si);Epigap(PDチップ)
上図:波長vs. スペクトル応答特性
上図:標準位置検出性
◇特長
・非常に優れた直線性 ･非常に高い精度製品
・広いダイナミックレンジ ･高信頼性製品
・二重側面状構造
・非常に優れた直線性 ･非常に高い精度製品
・広いダイナミックレンジ ･高信頼性製品
・二重側面状構造
◇応用
･ビームアライメント ・位置センシング ・角度測定
･表面プロファイル測定 ・高さ測定 ・照準測定
・ガイダンスシステム ・動作分析
･ビームアライメント ・位置センシング ・角度測定
･表面プロファイル測定 ・高さ測定 ・照準測定
・ガイダンスシステム ・動作分析