◇製品名 Si(シリコン)PD
ポジションセンシングディテクタ
和 ･差増幅器モジュール&4分割/2分割
フォトダイオード
OSI Optoelectronics 社
ポジションセンシングディテクタ
和 ･差増幅器モジュール&4分割/2分割
フォトダイオード
OSI Optoelectronics 社
◇概 要
・和・差増幅器モジュール(ポジションセンシングモジュール)/Sum and Difference Amplifier Module:
ＱD7-0-SD 又はQD50-0-SDは4分割フォトダイオードアレーで2つの差信号又は和信号が得られるように回路化
されております。2つの差信号は4分割の素子の合い対している一対による光強度の相対的な違いな電圧のアナログ
値になります。更に追加すると4分割素子の増幅された合計(足し算)は和信号として提供されます。
･応用として、これはＱD7-0-SD 又はQD50-0-SDは光ビームの“有･無”或いは“ポジショニング”の応用に理想的な
製品です。
･非常に正確な光ビームの調整に用いられます。
・和・差増幅器モジュール(ポジションセンシングモジュール)/Sum and Difference Amplifier Module:
ＱD7-0-SD 又はQD50-0-SDは4分割フォトダイオードアレーで2つの差信号又は和信号が得られるように回路化
されております。2つの差信号は4分割の素子の合い対している一対による光強度の相対的な違いな電圧のアナログ
値になります。更に追加すると4分割素子の増幅された合計(足し算)は和信号として提供されます。
･応用として、これはＱD7-0-SD 又はQD50-0-SDは光ビームの“有･無”或いは“ポジショニング”の応用に理想的な
製品です。
･非常に正確な光ビームの調整に用いられます。
◇仕様: ・和・差増幅器モジュール(ポジションセンシングモジュール)
| 型式 | 有効径 |
素子
ギャップ (mm) |
応答性
(A/W) @900(nm) |
暗電流
(nA) @900(nm) |
容量
(pF) 0V,typ |
逆電圧 (V) max |
立上時間
(ns),900nm -30V,50Ω |
筐体 形状 |
|
|
面積
(mm2) |
サイズ
(mm) |
||||||||
|
“O”シリーズ
|
|||||||||
| QD7-0 | 7 | 3.0φ |
0.2
|
0.54 typ.
|
4.0 typ
|
20
|
30 max |
10 typ
|
41/ TO-5 |
| QD50-0 | 50 | 8.0φ |
0.2
|
0.54
|
15.0
|
125
|
30 |
10
|
73/ TO-8
|
Fermionics(InGaAs)；Archcom,Fermionics,MutiPlex(レシーバ)；Archcom,MPI(高速ディテクタ)；
OSI(Si,Si-APD,GaAs),(InGaAs,光通信)；AdvancePhotonics(Si);Epigap(PDチップ)
OSI(Si,Si-APD,GaAs),(InGaAs,光通信)；AdvancePhotonics(Si);Epigap(PDチップ)
◇応用
･ポジション測定 ・ビームセンタリング
･ターゲットリング ・ガイダンスシステム
･ポジション測定 ・ビームセンタリング
･ターゲットリング ・ガイダンスシステム
◇特長
・10μｍギャップ(QD50-SDモジュール)
・QD7-ｘｘ又はQD50-xxはご要望に対応します。
・10μｍギャップ(QD50-SDモジュール)
・QD7-ｘｘ又はQD50-xxはご要望に対応します。
上図:波長vs.応答特性
|
型式
|
有効径
|
素子
ギャップ (mm) |
応答性
(nA/Lux) 970nm |
暗電流
(nA) -10V,typ |
容量
(pF) -10V,typ |
シャント
抵抗 (MΩ),-10V |
逆電圧
(DC),max |
立上時間
(ns),-10V 780nm,typ |
筐体
型式 |
|
|
面積
(mm2) |
サイズ
(mm) |
|||||||||
|
2素子シリーズ, メタルパッケージ,2分割フォトダイオード，Dual Cell Photodiode
|
||||||||||
| CD-25 |
2.3
|
4.6 x 0.5
|
0.2
|
0.65 typ | 20 (-15V) |
50 (-15V)
|
-
|
30
|
300(-15V)
|
2/TO-5
|
| SPOT-2D |
3.3
|
1.3 x 2.5
|
0.127
|
0.65 | 0.15 |
11
|
-
|
5
|
41/TO-5
|
|
| SPOT-2DMI | 0.7 |
0.6 x 1.2
|
0.013
|
0.65 | 0.05 |
3
|
-
|
7
|
40/TO-18
|
|
| SPOT-3D | 2.8 |
0.6 x 4.6
|
0.025
|
0.65 | 0.13 |
7
|
-
|
4
|
41/TO-5
|
|
|
4素子シリーズ, メタルパッケージ, 4分割フォトダイオード，Quadrant Photodiode
|
||||||||||
| SPOT-4D |
1.61
|
1.3 sq
|
0.127
|
0.65 typ | 20 (-15V) |
5
|
-
|
30
|
3
|
41/TO-5
|
| SPOT-4DMI |
0.25
|
0.5 sq
|
0.013
|
0.65 | 0.1 |
1
|
-
|
3
|
41/TO-5
|
|
| SPOT-9D | 19.6 |
10 φ
|
0.102
|
0.65 | 0.01 |
60
|
-
|
3
|
43/LoProf
|
|
| SPOT-9DMI | 19.6 |
10 φ
|
0.010
|
0.65 | 0.5 |
60
|
-
|
3
|
43/LoFrof
|
|
|
UV対応 4素子、メタルパッケージ フォトダイオード
|
||||||||||
|
SPOT-4DUV
|
1.61
|
1.3 sq
|
0.127
|
0.1 typ
257nm |
-
|
40 (0V)
|
100-500
|
5
|
10(us) (0V),
257nm |
41/TO-5
|
◇仕様 視感度ディテクタ シリーズ‐E
◇概 要
・4分割･2分割フォトダイオード (Quadrant/Bi Cell Photodetector)
STOPシリーズは通常2つ或いは4つの活性素子の光ディテクタのセグメントに
なっております。これらの素子はお互い隣り合った素子との間は0.005"或いは
0.004"の明確な間隔で収まっております。
●SPOTシリーズは非常に正確な“有無”又は“中心”を得る応用に用いられます。
位置情報はスポット径がセル間の間隔より大きい場合に得られます。
スペクトル応答は350nm～1,100nmの帯域にあります。
ノッチ又はバンドパスフィルタは特別なスペクトル応答を加えて得られます。これ
らのディテクタは時間、温度を越えて優れた安定性があり、高速やパルス動作に
必要な高速特性があり、0.1um以上のよい位置分解能があります。
推薦できる最大パワー密度は10mW/cm2で1mm直径スポットの応答均一性は
±2%です。
・4分割･2分割フォトダイオード (Quadrant/Bi Cell Photodetector)
STOPシリーズは通常2つ或いは4つの活性素子の光ディテクタのセグメントに
なっております。これらの素子はお互い隣り合った素子との間は0.005"或いは
0.004"の明確な間隔で収まっております。
●SPOTシリーズは非常に正確な“有無”又は“中心”を得る応用に用いられます。
位置情報はスポット径がセル間の間隔より大きい場合に得られます。
スペクトル応答は350nm～1,100nmの帯域にあります。
ノッチ又はバンドパスフィルタは特別なスペクトル応答を加えて得られます。これ
らのディテクタは時間、温度を越えて優れた安定性があり、高速やパルス動作に
必要な高速特性があり、0.1um以上のよい位置分解能があります。
推薦できる最大パワー密度は10mW/cm2で1mm直径スポットの応答均一性は
±2%です。
4分割,2分割英文
和･差増幅器
モジュール
モジュール