◇製品名　Si(シリコン)PD
Photodiode/ Amplifier Combination
200/350-1100nm スペクトル範囲
OSI Optoelectronics 社
資料(英語)
◇概　要　　350-1100nm スペクトル範囲
当社のPhotopシリーズ(前置増幅器とフォトダイオードとの組合せ製品)は350-1100nm又は200-1100nmのスペクトル
範囲を持っております。当製品は集積パッケージで様々な動作条件のもとで低雑音出力を持っております。これらは
当社の技術者が選択して仕様されております。各仕様のパラメータは低雑音，低ドリフトより構成され、外部フィード
バック部品によって決められる利得やバンド幅を可能とします。DCから数Mhzの帯域での動作ではバイアス無しで
低雑音、低ドリフト応用に対応でき、又はバイアスを掛けて高速の応用に用いられます。

お問い合わせ
株式会社ネオトロン
◇仕様　　Photops(Photodiode Specifications)
型式 有効径 応答性
標準
(A/W)		 容量
(標準)(pF)
typ		 暗電流
(標準)(nA)
(@-10V		 シャント
抵抗
(MΩ)-10mV		 逆電圧
(V)		 筐体
形状
面積
(mm２)
サイズ
200-1100nm スペクトル範囲
UDT-455UV 5.1 2.54 φ 0.1
(@254nm)
typ		 300 (0V) - 100 typ 5
max
30/TO-5
UDT-455UV/LN 5.1 2.54 φ 1000 -
100
30/TO-5
UDT-020UV 16 4.57 φ 2500 -
50
31/TO-8
UDT-055UV 50 7.98φ 4500 -
20
32/
Special
UDT-555UV 100 11.3φ 4500 -
10
UDT-555UV/LN 100 11.3φ 4500 -
10
350-1100nm スペクトル範囲
UDT-451 5.1 2.54φ
0.65
(@970nm)
typ
15(-10V)
0.25
-
30
max
29/DIP
UDT-455 5.1 2.54 φ
15
0.25
-
30/TO-5
UDT-455LN 5.1 2.54 φ
15
0.25
-
30/TO-5
UDT-455HS 5.1 2.54 φ 60 0.25
-
30/TO-5
UDT-020D 16 4.57φ
60
0.5
-
31/TO-8
UDT-555D 100 11.3φ
300
2.0
-
32/Special
Fermionics(InGaAs)；Archcom,Fermionics,MutiPlex(レシーバ)；Archcom,MPI(高速ディテクタ)；
OSI(Si,Si-APD,GaAs),(InGaAs,光通信)；AdvancePhotonics(Si);Epigap(PDチップ)
⇒詳細はメーカホームページへ
上図:波長vs. スペクトル応答特性
上図:標準利得vs.周波数特性
◇特長
・高速応答性 　 ･低容量
・低暗電流 ･高速性
・広ダイナミックレンジ
◇応用
･パルス検出　　・光通信　　
･バーコードリーダ　　・光リモート制御
･医療機器　　 ・高速光度測定器