◇製品名 Si(シリコン)PD
Photoconductive(光伝導性)シリーズ
OSI Optoelectronics 社
Photoconductive(光伝導性)シリーズ
OSI Optoelectronics 社
◇概 要
当社の光伝導性ディテクタシリーズは高速或いは高感度な応用に用いられます。スペクトル範囲は350-1100nmを
超える範囲にまで至り可視光から近赤外の領域への応用に適応し、パルスレーザ光源、LEDや切断光等の光検出
に適応されます。
高速光受光を得るにはディテクタは逆バイアスにより得られます。例えば10Vの逆電圧で通常10nsのからの応答時間
が得られます。逆電圧を用いる場合、速度が速まりますが、容量が減少します(下記の表ご参照)。表に記載のように
逆電圧は30Ｖを超えないようにお使い下さい。逆電圧は暗電流が発生しますので、デバイス内の雑音が電圧により
増加します。
当社の光伝導性ディテクタシリーズは高速或いは高感度な応用に用いられます。スペクトル範囲は350-1100nmを
超える範囲にまで至り可視光から近赤外の領域への応用に適応し、パルスレーザ光源、LEDや切断光等の光検出
に適応されます。
高速光受光を得るにはディテクタは逆バイアスにより得られます。例えば10Vの逆電圧で通常10nsのからの応答時間
が得られます。逆電圧を用いる場合、速度が速まりますが、容量が減少します(下記の表ご参照)。表に記載のように
逆電圧は30Ｖを超えないようにお使い下さい。逆電圧は暗電流が発生しますので、デバイス内の雑音が電圧により
増加します。
◇仕様 Photoconductive(光伝導性)シリーズ
| 型式 | 有効径 | 応答性 標準 (A/W) |
容量 (標準)(pF) @-10V |
暗電流 (標準)(nA) (@-10V |
逆電圧 (V) |
立上り 時間 (ns) |
筐体 形状 |
|
|
面積
(mm２) |
サイズ
|
|||||||
|
Oシリーズ、メタルパッケージ
|
||||||||
| OSD1-0 | 1 | 1.0 sq | 0.54 (@900nm) |
3 | 1 | 50 | 10 |
7/TO-18
|
| OSD5-0 | 5 | 2.5φ | 8 | 5 | 8 |
5/TO-5
|
||
| OSD15-0 | 15 | 3.8sq | 20 | 8 | 9 |
5/TO-5
|
||
| OSD35-0 | 35 | 5.9sq | 46 | 12 | 12 |
3/TO-8
|
||
| OSD60-0 | 58 | 7.6sq | 75 | 15 | 14 |
72/TO-8
|
||
| OSD100-0A | 100 | 11.3φ | 130 | 30 | 19 |
74/Special
|
||
|
Ｄシリーズ、メタルパッケージ
|
||||||||
| PIN-020A |
0.2
|
0.51φ
|
0.65
(@970nm) |
1
|
0.01
|
30
|
6
|
1/TO-18
|
| PIN-040A |
0.81
|
1.02φ
|
2
|
0.05
|
8
|
1/TO-18
|
||
| PIN-20DI |
1.1
|
0.81x11.37
|
5
|
0.10
|
10
|
4/TO-18
|
||
| PIN-3CDI | 3.2 | 1.27x2.54 | 12 | 0.15 | 10 |
4/TO-18
|
||
| PIN-3CD |
3.2
|
1.27x2.54
|
12
|
0.15
|
10
|
7/TO-18
|
||
| PIN-5DI |
5.1
|
2.54φ
|
15
|
0.25
|
12
|
2/TO-5
|
||
| PIN-5D | 5.1 | 2.54φ | 15 | 0.25 | 12 |
5/TO-5
|
||
| PIN-13DI |
13
|
3.6sq
|
40
|
0.35
|
14
|
2/TO-5
|
||
| PIN-13D |
13
|
3.6sq
|
40
|
0.35
|
14
|
5/TO-5
|
||
| PIN-6DI |
16.4
|
4.57φ
|
60
|
0.5
|
17
|
3/TO-8
|
||
| PIN-6D | 16.4 | 4.57φ | 60 | 0.5 | 17 |
6/TO-8
|
||
| PIN-44DI |
44
|
6.6sq
|
130
|
1
|
24
|
3/TO-8
|
||
| PIN-44D |
44
|
6.6sq
|
130
|
1
|
24
|
6/TO-8
|
||
| PIN-10DI |
100
|
11.28φ
|
300
|
2
|
43
|
10/Lo-Prof
|
||
| PIN-10D |
100
|
11.28φ
|
300
|
2
|
43
|
11/BNC
|
||
| PIN-25D |
613
|
27.9
|
1800
|
15
|
250
|
12/BNC
|
||
|
Ｄシリーズ、プラスチックパッケージ
|
||||||||
|
ＦＩＬ-5C
|
5.1
|
2.54φ
|
0.65
(@970nm) |
15
|
0.25
|
30
|
12
|
14/Plastic
|
|
FIL-20C
|
16.4
|
4.54φ
|
60
|
0.5
|
17
|
14/Plastic
|
||
|
FIL-44C
|
44
|
6.6sq
|
130
|
1
|
24
|
15/Plastic
|
||
|
FIL-100C
|
100
|
11.28φ
|
300
|
2
|
43
|
15/Plastic
|
||
|
FIL-220D
|
200
|
10x20
|
600
|
5
|
75
|
27/Plastic
|
||
Fermionics(InGaAs)；Archcom,Fermionics,MutiPlex(レシーバ)；Archcom,MPI(高速ディテクタ)；
OSI(Si,Si-APD,GaAs),(InGaAs,光通信)；AdvancePhotonics(Si);Epigap(PDチップ)
OSI(Si,Si-APD,GaAs),(InGaAs,光通信)；AdvancePhotonics(Si);Epigap(PDチップ)
容量 対 逆電圧特性
標準スペクトル応答特性
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