当製品は･非常に高速、低容量、低暗電流のInGaAsのPINフォトダイオードで、高速レシーバ等の応用に
用いられます。光感度のある有効径は直径50μmのプラナーパッシベート処理された構造となっております。
用いられます。光感度のある有効径は直径50μmのプラナーパッシベート処理された構造となっております。
Fermionics(InGaAs)；Optoplex；OSI(Si,Si-APD, InGaAs,GaAs)；AdvancePhotonics(Si); Epigap(PDチップ)
◇高速InGaAsフォトダイオード:FD50シリーズ
|
パラメータ
|
記号
|
条件
|
Min.
|
Typ.
|
Max.
|
単位
|
|
光･電気特性(T=25℃)
|
||||||
|
応答性
|
R
|
1300nm
1550nm |
0.8
0.85 |
0.85
0.90 |
-
|
A/W
|
|
暗電流
|
I(d)
|
V(R)=5V
|
-
|
0.1
|
1
|
nA
|
|
立上り/下がり時間
|
t(R)/t(F)
|
V(R)=5V
|
-
|
100
|
200
|
ps
|
|
容量
|
C
|
V(R)=5V
|
-
|
0.25
|
0.4
|
pF
|
|
パラメータ
|
定格値
|
単位
|
|
最大絶対定格(T=25℃)
|
||
|
保存温度
|
-40~+100
|
℃
|
|
動作温度
|
-40~+85
|
℃
|
|
順方向電流
|
5
|
mA
|
|
逆方向電流
|
0.5
|
mA
|
|
逆方向電圧
|
30
|
V
|
|
部品番号
|
パッケージ
|
|
パッケージオプション
|
|
|
FD50S3
|
Type S3 アルミナセラミックサブマウント
|
|
FD50S7-F
|
高速ミニ-ピッグテールパッケージ
|