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当社の新製品背面受光Pin PD (FDHS-30シリーズ)は10GHzのバンド幅を持ち10Gb/sの応用に用いられます。アノード、
カソード面は光入射面の逆に取り付けられております。チップ上のインジュームの突起は外部回路の電気的接続にする
のに用いられます。この製品はチップの形態又はアルミナセラミックにサブマウント前もって取り付けられ電極は
ラップされた形態の２種類に対応、動作波長範囲は950nmから1650nmに対応致します。

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株式会社ネオトロン

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Fermionics(InGaAs)；Optoplex；OSI(Si,Si-APD, InGaAs,GaAs)；AdvancePhotonics(Si); Epigap(PDチップ)

◇背面受光InGaAs Pin PD (FDHS-30シリーズ)

資料(英文)
背面受光InGaAs Pin
(FDHS-30)

パラメータ	定格値	単位
光学特性
動作波長範囲	950-1650	nm
バンド幅	>10	GHz @5V
InGaAsの有効径	30	um
暗電流	<5	nA @5V
容量	<0.2	pF @5V
応答	0.9	A/W (typ @ 1300nm)

応用
･10Gbps イーサーネット
・10Gbps Sonet
・10Gbps トランスポンダー
･DWDM