大口径InGaAsフォトダイオード
FD2000Wシリーズ
FD2000Wシリーズ
当製品は近赤外領域の機器やセンシング応用で用いられる口径の大きな高感度フォトダイオードです。800nmから
1700nmの帯域に高応答特性があります。口径は2mm直径のプラナ-パッシベーテッド-デバイス構造です。
1700nmの帯域に高応答特性があります。口径は2mm直径のプラナ-パッシベーテッド-デバイス構造です。
Fermionics(InGaAs)；Optoplex；OSI(Si,Si-APD, InGaAs,GaAs)；AdvancePhotonics(Si); Epigap(PDチップ)
◇大口径InGaAsフォトダイオード:FD2000シリーズ
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パラメータ
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記号
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条件
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Min.
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Typ.
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Max.
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単位
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光･電気特性(T=25℃)
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応答性
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R
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1300nm
1550nm |
0.80
0.90 |
0.90
0.95 |
-
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A/W
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シャント抵抗
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R(s)
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V(R)=0V
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1
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10
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-
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MΩ
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容量
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C
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V(R)=0V
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-
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400
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1000
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pF
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パラメータ
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定格値
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単位
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最大絶対定格(T=25℃)
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保存温度
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-40~+100
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℃
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動作温度
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-40~+85
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℃
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順方向電流
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50
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mA
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逆方向電流
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10
|
mA
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逆方向電圧
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2
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V
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部品番号
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パッケージ
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パッケージオプション
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FD2000W
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TO-18 ARコーテング 平面窓キャプ付き
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