NG PON2用の10GbpsチューナブルROSA

Optoplex Corp.

 FSAN(フルサービスアクセスネットワーク)は、ITU-Tと協力して2010年にNG-PON2で作業するワーキンググループを
開始しました。 NG-PON2の優先技術として、TWDM(TDM / WDM:時分割多重/波長分割多重)が選択されました。
NG-PON2の一般的な、最初の推奨は、2012年後半にITU-T(G.989.1)物理層要件(ITU G.989.2)は2014年12月に
承認され、NG-PON2の主要な要件(物理層)は次のようにまとめられます。
・OLTポーと当り、ダウンストリーム40Gb/s、アップストリーム10Gb/s
・アップストリームとダウンストリームの両方でOLTポートあたり4つの波長(将来8つの波長にアップグレード可能)
・100GHzチャンネル間隔
・波長計画 ダウンストリーム:1596〜1603nm;アップストリーム:1532〜1540nm
・無色ONU
・ポートあたり64以上のONU(256個以上のONU)
・最大損失 >/= 29dB(クラスN1)
・従来のPONインフラストラクチャとの互換性(>40 km以上)
・スムーズな移行:1.レガシーPON共存(G-PON &/or XG-PON1); 2.ONU単位でレガシーPONからのスムーズな移行
・同じODN上の複数のアプリケーションのサポート(例:住宅 + ビジネス + バックホール)
・モバイル フロントホールアプリケーションの取扱を容易にするため、PtP WDMオーバーレイチャネルが追加されました
 当社は、独自の技術により、APD / TIA、NG-PON2アプリケーション、10GbpsチューナブルROSA(チューナブルフィル
タと集積された10G APD/TIA)に容易に統合できる周期的なチューニングフィルタを開発しました。この10Gチューニング
可能なROSAは、過去3年の間に多くの大手企業によって検証され、最近、いくつかのT-1サービスプロバイダーによって
フィールドに導入されました。 NG-PON2で使用される調整可能なROSAが下図に示します。
お問い合わせ
株式会社ネオトロン

Fermionics(InGaAs);Optoplex;OSI(Si,Si-APD, InGaAs,GaAs);AdvancePhotonics(Si); Epigap(PDチップ)
◇製品概要:NGPON2用の10Gbps チューナブルROSA

資料(英文)
10Gbpsチューナブル
ROSA
◇特長
・4ch.のチューニング範囲のある100GHzのチューナブルフィルター  ・10Gbps用のInGaAsAPD
・ハイゲイン12kΩトランスインピーダンス置増幅器 ・差動データ出力 ・高感度:<-28dBm    ・低消費電力:<0.4W
◇応用
・光通信でのアクセスネットワーク用デジタルファイバーディテクタ ・高速光ネットワーク
・FTTx    ・SFP+/ XFP300pin MSA 光トランシーバ

◇仕様
NGPON2用の10Gbps チューナブルROSAの標準仕様(⇒Specification の項 ご参照)
パラメータ 単位 仕様 条件
動作波長範囲 nm
1570 - 1610
チューナブルフィルタ挿入損失 dB
2.5(Max)
波長チューニング範囲 GHz
450(Min)
-5°C ~ 75°C
フィルタパスバンド幅 GHz
20(Min); 150(Max)
@1dB ; @20dB
光反射減衰量 dB
27(Min)
PDL dB
0.8(Max)
光電流で測定
チューニング速度 s
1(Max)
チャンネルi から i+1
サーミスタ抵抗
10(Typ)

TF チューニング電圧 V
3.8(Max)
電圧依失 dB
0.5(Typ); 1(Max)
その他詳細仕様は以下ご参照下さい
詳細仕様
図1: NG-PON2に於けるカラーレスONU用の10Gb/sのチューナブルROSA
チューナブルフィルタの仕様:
10G ROSAの仕様:
パラメータ 単位 仕様 条件
光学特性
動作波長範囲 nm
1570 - 1610
応答性
A/W
0.75(typ)
M=1, CW
フィルタ応答性
A/W
0.42(typ)
M=1, CW
最低感度
dBm
-30.5
10.3Gps, RL=50Ω, BER=1x10-3, NRZ,
ER=6.42dB, PRBS=2
31-1, Mopt, λ=1550nm
光反射減衰量 dB
27(Min)
電気特性
TIA供給電圧
V
3(min),3.3(typ), 3.6(max)
Vcc
TIA供給電流
mA
40(min), 55(typ), 70 (max)
Pin=0uW
動作電圧
V
0.9xVbr
VOP, M=Mopt.
トランス インピーダンス
kΩ
2.0
F=200MHz, RL=50Ω, Pin=1uW,M=10,差動
3dB バンド幅
GHz
6.0
@-3dB, M=10, RL=50Ω, Pin=-20dBm
VBRの温度係数
V/℃
0.03
Id=10uA, Tc=25~75℃
降伏電圧
V
25(min), 34(typ), 40 (max)
暗電流 Id=10uA
その他詳細仕様は以下ご参照下さい
詳細仕様