◇製品名 InGaAsフォトダイオード
InGaAs フォトダイオード: クサビセラミックマウント
(FCI-InGaAs-XXX-ACER):
InGaAs Photodiode on Wedge Ceramic Package
OSI Optoelectronics 社
InGaAs フォトダイオード: クサビセラミックマウント
(FCI-InGaAs-XXX-ACER):
InGaAs Photodiode on Wedge Ceramic Package
OSI Optoelectronics 社
◇概 要
・InGaAsフォトダイオード(FCI-InGaAs-XXX－ACER):
FCI-InGaAs-XXX-ACERは70μm, 120μm, 300μm, 400μm並びに500μmの有効径を持った角度を持ったセラミック
上にマウントされた製品です。5度の角度を持ったセラミック面に取り付けられており反射減推量を少なくするように
設計されております。チップはセラミックサブストレート上にエポキシ或いは共融されます。
◇特長
・5度角度セラミック ･低雑音 ・高応答性 ･高速特性 ･900～1700nmのスペクトル帯域
◇応用
･高速光通信 ･ギガビットイーサー/ファイバーチャンネル ･SONET/ SDH, ATM ・ダイオードレーザモニター ・装置
・InGaAsフォトダイオード(FCI-InGaAs-XXX－ACER):
FCI-InGaAs-XXX-ACERは70μm, 120μm, 300μm, 400μm並びに500μmの有効径を持った角度を持ったセラミック
上にマウントされた製品です。5度の角度を持ったセラミック面に取り付けられており反射減推量を少なくするように
設計されております。チップはセラミックサブストレート上にエポキシ或いは共融されます。
◇特長
・5度角度セラミック ･低雑音 ・高応答性 ･高速特性 ･900～1700nmのスペクトル帯域
◇応用
･高速光通信 ･ギガビットイーサー/ファイバーチャンネル ･SONET/ SDH, ATM ・ダイオードレーザモニター ・装置
◇仕様: ・InGaAsフォトダイオード(FCI-InGaAs-XXX-WCER)
| 型式 | 有効径 μm |
応答性
typ.(A/W) 1.3/1.55um |
容量 pF,V(R)=5V typ |
暗電流
nA typ/max |
立上/立下り ns, max. |
最大
逆電圧 V |
最大 逆/順電流 mA |
|
InGaAsフォトダイオード
|
|||||||
| FCI-InGaAs-70ACER |
70 |
0.90 / 0.95
|
0.65
|
0.03/ 2.0
|
0.2 |
20
|
1/ 5 |
|
FCI-InGaAs-120ACER
|
120 |
0.90 / 0.95
|
1.0
|
0.05/ 2.0
|
0.3
|
20
|
2/ 5
|
| FCI-InGaAs-300ACER |
300
|
0.90 / 0.95
|
10.0
|
0.3/ 5.0
|
1.5
|
15
|
2/ 8
|
|
FCI-InGaAs-400ACER
|
400
|
0.90 / 0.95
|
14.0
|
0.4/ 5.0
|
3.0
|
15
|
2/ 8
|
|
FCI-InGaAs-500ACER
|
500
|
0.90 / 0.95
|
20.0
|
0.5/ 20
|
10.0
|
15
|
2/ 8
|
Fermionics(InGaAs)；Archcom,Fermionics,MutiPlex(レシーバ)；Archcom,MPI(高速ディテクタ)；
OSI(Si,Si-APD,GaAs),(InGaAs,光通信)；AdvancePhotonics(Si);Epigap(PDチップ)
OSI(Si,Si-APD,GaAs),(InGaAs,光通信)；AdvancePhotonics(Si);Epigap(PDチップ)
|
パラメータ
|
保存温度
|
動作温度
|
半田温度
|
単位
|
|
最大絶対定格
|
||||
|
Min
|
-40
|
0
|
-
|
℃
|
|
Max
|
+85
|
+70
|
+260
|
℃
|