◇製品名　InGaAsフォトダイオード
InGaAs フォトダイオード:セラミック
(FCI-InGaAs-XXX-WCER):
InGaAs Photodiode on Wraparound Ceramic Package
OSI Optoelectronics 社

資料(英語)
InGaAs
◇概　要
・InGaAsフォトダイオード(FCI-InGaAs-XXX－WCER):
FCI-InGaAs-XXX-WCERは70μm, 120μm, 300μm, 400μm並びに500μmの有効径を持ったセラミック上にマウント
された製品です。コンパクトなアッセンブリは集積可能なように設計されております。チップはセラミックサブスト
レート上にエポキシ或いは共融されます。

◇特長
・低雑音　 ･高応答性　 ･高速特性　　･900～1700nmのスペクトル帯域

◇応用
･高速光通信　　　･ギガビットイーサー/SDH, ATM　　･ダイオードレーザモニタリング　・装置

お問い合わせ
株式会社ネオトロン
◇仕様:　・InGaAsフォトダイオード(FCI-InGaAs-XXX-WCER)
型式 有効径
μm
応答性
typ.(A/W)
1.3/1.55um
 容量
pF,V(R)=5V
typ
暗電流
nA
typ/max
 立上/立下り
ns, max.
最大
逆電圧
V
 最大
逆/順電流
mA
InGaAsフォトダイオード
FCI-InGaAs-70WCER
 70
0.90 / 0.95
0.65
0.03/ 2.0
 0.2
20
 1/ 5
FCI-InGaAs-120WCER
 120
0.90 / 0.95
1.0
0.05/ 2.0
0.3
20
2/ 5
FCI-InGaAs-300WCER
300
0.90 / 0.95
10.0
0.3/ 5.0
1.5
15
2/ 8
FCI-InGaAs-400WCER
400
0.90 / 0.95
14.0
0.4/ 5.0
3.0
15
2/ 8
FCI-InGaAs-500WCER
500
0.90 / 0.95
20.0
0.5/ 20
10.0
15
2/ 8
Fermionics(InGaAs)；Archcom,Fermionics,MutiPlex(レシーバ)；Archcom,MPI(高速ディテクタ)；
OSI(Si,Si-APD,GaAs),(InGaAs,光通信)；AdvancePhotonics(Si);Epigap(PDチップ)
⇒メーカホームページへ(InGaAs)

パラメータ
保存温度　
動作温度
半田温度　
単位
最大絶対定格
Min
-40
0
-
℃
Max
+85
+70
+260
℃