◇製品名 InGaAsフォトダイオード
10Gbps InGaAsフォトダイオード
(FCI-InGaAs-36C):
InGaAs Photodiode
OSI Optoelectronics 社
10Gbps InGaAsフォトダイオード
(FCI-InGaAs-36C):
InGaAs Photodiode
OSI Optoelectronics 社
◇概 要
・10G InGaAsフォトダイオード(FCI-InGaAs-36C):
FCI-InGaAs-36CはOC-192(SONET/SDH)可能な光感度を持ったデバイスで、低暗電流、並びに優れた安定特性を
持っております。アノード並びにカソードはチップのトップ面に有ります。これは910nmから1650nmのスペク
トラム帯域に対して10Gbpsの伝送特性の応用に用いられます。
◇特長
・高速10Gデータレート ･低暗電流 ･前方照射 ･高速応答,TYp.0.8 A/W@1550nm ・36um受光径 ･低容量
◇応用
･高速光通信 ･OC-192 ･光ネットワーキング ・光測定
・10G InGaAsフォトダイオード(FCI-InGaAs-36C):
FCI-InGaAs-36CはOC-192(SONET/SDH)可能な光感度を持ったデバイスで、低暗電流、並びに優れた安定特性を
持っております。アノード並びにカソードはチップのトップ面に有ります。これは910nmから1650nmのスペク
トラム帯域に対して10Gbpsの伝送特性の応用に用いられます。
◇特長
・高速10Gデータレート ･低暗電流 ･前方照射 ･高速応答,TYp.0.8 A/W@1550nm ・36um受光径 ･低容量
◇応用
･高速光通信 ･OC-192 ･光ネットワーキング ・光測定
◇仕様: ・背面入射InGaAsフォトダイオード/アレー(FCI-InGaAs-36C)
| 型式 | 有効径 μm |
応答性
Typ.(A/W) 1.3/1.55um |
容量 pF,V(R)=5V typ/max |
暗電流
nA typ/max |
バンド幅 MHz min |
ブレーク
ダウン電圧 V |
バンド幅 Typ(GHz) |
|
InGaAsフォトダイオード
|
|||||||
| FCI-InGaAs-36C |
36 |
0.85 / 0.8
|
0.16/0.2
|
0.5 / 2
|
100 |
20(min)
|
9 |
Fermionics(InGaAs)；Archcom,Fermionics,MutiPlex(レシーバ)；Archcom,MPI(高速ディテクタ)；
OSI(Si,Si-APD,GaAs),(InGaAs,光通信)；AdvancePhotonics(Si);Epigap(PDチップ)
OSI(Si,Si-APD,GaAs),(InGaAs,光通信)；AdvancePhotonics(Si);Epigap(PDチップ)
