◇製品名　InGaAsフォトダイオード
背面入射InGaAs フォトダイオード/アレー
(FCI-InGaAs-300B1XX):
Buck Illuminated InGaAs Photodiode/Arrays
OSI Optoelectronics 社

資料(英語)
背面入射InGaAs
◇概　要
・背面入射InGaAsフォトダイオード/アレー(FCI-InGaAs-300B1XX):
FCI-InGaAs-300B1XXシリーズは多機能を持った背面入射フォトダイオード/アレーです。これらのデバイスは
標準有効径300μmのシングルエレメント又は4-又は8-エレメントとなっております。これらの背面入射InGaAs
フォトダイオード/アレーは前面或いは背面照射としてフリップ-チップマウントとして設計されております。これ
らのデバイスは従来より活性面が上向きに取り付けられているか、又は全体のサイズを小さくするために活性面を
下向きに取り付けられます。これらの低インダクタンス、低暗電流、並びに低容量の背面照射フォトダイオード/
アレーはセラミックサブマウント付き又は無しで提供可能です。

◇特長
・背面入射 　 ･高応答性(前面或いは背面にて)　 ･低雑音特性　　･900～1700nmのスペクトル帯域

◇応用
･高速光通信　　　･多チャンネル光ファイバーレシーバ　　･パワーモニタリング　　　
・シングル/マルチ光ファイバーレシーバ ・高速イーサーネット(SONET/SDH, OC-3/STM-1, ATM)
・装置並びにアナログレシーバ

お問い合わせ
株式会社ネオトロン
◇仕様:　・背面入射InGaAsフォトダイオード/アレー(FCI-InGaAs-300B1XX)
型式 有効径
μm
応答性
(A/W)
1.3/1.55um
 容量
pF,V(R)=5V
typ/max
暗電流
nA
typ/max
 バンド幅
MHz
min
最大
逆電圧
V
 最大
逆/順電流
mA		 動作/保存
温度
℃
背面入射InGaAsフォトダイオード/アレー
FCI-InGaAs-300B1
 300
0.80 / 0.85
(前面,背面共に)
8 / 10
0.05 / 5.0
V(R)=-5V
 100
15
 5 / 25 0~70 /
-40～85
FCI-InGaAs-300B1x4
 300,
pitch:500um
FCI-InGaAs-300B1x8
Fermionics(InGaAs)；Archcom,Fermionics,MutiPlex(レシーバ)；Archcom,MPI(高速ディテクタ)；
OSI(Si,Si-APD,GaAs),(InGaAs,光通信)；AdvancePhotonics(Si);Epigap(PDチップ)
⇒メーカホームページへ(背面入射InGaAs)