◇製品名 InGaAsフォトダイオード
大有効径InGaAs 4分割フォトダイオード
(FCI-InGaAs-QXXX):
Large Active Area InGaAs Quadrants
OSI Optoelectronics 社
大有効径InGaAs 4分割フォトダイオード
(FCI-InGaAs-QXXX):
Large Active Area InGaAs Quadrants
OSI Optoelectronics 社
◇概 要
・大有効径InGaAs 四分割フォトダイオード (FCI-InGaAs-QXXX):
FCI-InGaAs-QXXXシリーズは大有効径InGaASを四分割した素子です。これらのデバイスは1mmと3mmの有効径より
構成されております。均一な高応答と各素子間の低クロストークはビームプロフィール測定時のセンタリングないしは正確
な“ゼロ”値測定に最適です。これらは1100nm～1620nmの範囲にて優れた応答性があり、時間、温度に対して安定性を
保ち高速、パルスに対応可能です。製品フォトダイオードは広帯域ダブルサイドのARコーティングされた平面窓を持った
TO-46又はTO-5カンにアイソレートされてパッキングされており、ご要望によりセラミックサブマウントにマウント致し
ます。
◇特長
・高速応答性 ･低クロストーク ･低雑音 ･900～1700nmのスペクトル帯域 ・視野が広い
◇応用
･位置センサリング ･ビームアライメンチ(光軸調整) ・ビームプロフィール測定
・大有効径InGaAs 四分割フォトダイオード (FCI-InGaAs-QXXX):
FCI-InGaAs-QXXXシリーズは大有効径InGaASを四分割した素子です。これらのデバイスは1mmと3mmの有効径より
構成されております。均一な高応答と各素子間の低クロストークはビームプロフィール測定時のセンタリングないしは正確
な“ゼロ”値測定に最適です。これらは1100nm～1620nmの範囲にて優れた応答性があり、時間、温度に対して安定性を
保ち高速、パルスに対応可能です。製品フォトダイオードは広帯域ダブルサイドのARコーティングされた平面窓を持った
TO-46又はTO-5カンにアイソレートされてパッキングされており、ご要望によりセラミックサブマウントにマウント致し
ます。
◇特長
・高速応答性 ･低クロストーク ･低雑音 ･900～1700nmのスペクトル帯域 ・視野が広い
◇応用
･位置センサリング ･ビームアライメンチ(光軸調整) ・ビームプロフィール測定
◇仕様: ・大有効径InGaAs 四分割フォトダイオード (FCI-InGaAs-QXXX)
| 型式 | 有効径 μm typ |
応答性
(A/W),typ 1.3/1.55um |
素子間
すき間 mm,typ |
容量
V(R)=5V |
暗電流 typ.nA |
立上/下
時間 ns,typ |
クロストーク V(R)=5V 1.5um,% |
最大 逆電圧 max.V |
|
大有効径InGaAs フォトダイオード
|
||||||||
| FCI-InGaAs-Q1000 |
1000 |
0.9 / 0.95
|
0.045
|
25 man
|
0.5 |
3
|
1 max | 15 |
|
FCI-InGaAs-Q3000
|
30000 | 0.9 / 0.95 | 0.045 |
225
|
2.0 | 24 | 1 | 10 |
Fermionics(InGaAs)；Archcom,Fermionics,MutiPlex(レシーバ)；Archcom,MPI(高速ディテクタ)；
OSI(Si,Si-APD,GaAs),(InGaAs,光通信)；AdvancePhotonics(Si);Epigap(PDチップ)
OSI(Si,Si-APD,GaAs),(InGaAs,光通信)；AdvancePhotonics(Si);Epigap(PDチップ)
|
パラメータ
|
保存温度
|
動作温度
|
半田温度
|
単位
|
|
最大絶対定格
|
||||
|
Min
|
-55
|
-40
|
-
|
℃
|
|
Max
|
+125
|
+75
|
+260
|
℃
|