◇製品名　大有効径、高速Siフォトダイオード
850nm,1.06GHz~1.75GHz Si PD
(FCI-125G-XXXHRL):
Large Active & High Speed Silicon Photodiode
OSI Optoelectronics 社

資料(英語)
Si PD(1.06GHz-1.75GHz)
◇概　要
・大有効径、高速Siフォトダイオード(FCI-125G-XXXHRL):
当社の大有効径、高速シリコンシリーズは850nmの短距離光通信の応用に最適です｡当製品は-3.3Vで高速応答、広帯域、
低暗電流そして低容量の特性となっております。従いましてギガビットイｰサネットやファイバーチャンネルの応用として
850nmのトランシーバや1.25Gbpsまでの速度のGBICs等に最適です｡チップは3-pin TO-46のパッケージ内にオプション
のマイクロレンズ又はARコートの平面窓等でアイソレートされております。これらは全てFC,ST,SC並びにSMA等のコネクタ
に対応致します。

◇特長
・高速応答(1.06Gbps～1.75Gbps)　 ･大有効口径のシリ-コンPD　 ･-3.3Vで低容量　･低コスト

◇応用
･850nmの高速光通信　･シングル/マルチモード光ファイバーレシーバ　・ギガビットイｰサ/ファイバーチャンネル
･SONET/SDH,ATM

お問い合わせ
株式会社ネオトロン
◇仕様:　・Si フォトダイオード(FCI-125G-XXXHRL)
型式 有効径
φum
応答性850nm
(A/W),typ
容量
V(R)=3.3V/5.0V
typ(pF)
暗電流
V(R)=3.3V/5.0V
typ-max（pA)
 最大
逆電圧
max.V
立上り時間
V(R)=3.3V/5.0V
typ(ps)
850nm,50Ω
 立下り時間
V(R)=3.3V/5.0V
typ(ps)
850nm,50Ω
大有効径、高速Siフォトダイオード(Ta=23℃)
FCI-125G-006HRL 150
0.36
0.66/ 0.65
20-500/ 30-500
 20
38/ 35
 313/ 200
FCI-125G-010HRL 250
0.36
0.96/ 0.94
25-500/ 35-500
 20
50/ 47
429/ 246
FCI-125G-012HRL
 300 0.36 1.16/ 1.13
30-500/ 40-500
 20 69/ 60
436/ 265
FCI-125G-016HRL 400
0.36
1.73/ 1.70
40-500/ 50-500
 20
100/ 84
449/ 329
Fermionics(InGaAs)；Archcom,Fermionics,MutiPlex(レシーバ)；Archcom,MPI(高速ディテクタ)；
OSI(Si,Si-APD,GaAs),(InGaAs,光通信)；AdvancePhotonics(Si);Epigap(PDチップ)
⇒メーカホームページへ(Si PD 1.06G-1.75GHz)

パラメータ
保存温度　
動作温度
半田温度
単位
最大絶対定格
Min
-55
-40
---
℃
Max
+125
+75
+260
℃