◇製品名 InGaAsフォトダイオード
InGaAs フォトダイオード:広帯域ARコート付き
Broadband Anti-Reflection Coated
InGaAs Photodiode
OSI Optoelectronics 社
（FCI-InGaAs-WCER-LR)
InGaAs フォトダイオード:広帯域ARコート付き
Broadband Anti-Reflection Coated
InGaAs Photodiode
OSI Optoelectronics 社
（FCI-InGaAs-WCER-LR)
◇概 要
・InGaAsフォトダイオード:広帯域ARコート付き
OSI社では製品に非常に低い反射率のフォトダイオードを加えました。光通信分野の応用としてInGaAs/InPフォト
ダイオードが1520～1620nmの帯域にて0.6%以下の光反射率特性を持っております。広帯域を越えてこの超低反射率
はInGaAs/InPフォトダイオードの面に直接、多層膜ARコーティングを施す事により得られます。
◇特長
・0.6%以下の反射率 ･低雑音 ･高応答性 ･高速特性 ･900～1700nmのスペクトル帯域
◇応用
･波長ロッカー/ 波長モニタリング ･レーザバックファセットモニタリング ･DWDM ・装置
・InGaAsフォトダイオード:広帯域ARコート付き
OSI社では製品に非常に低い反射率のフォトダイオードを加えました。光通信分野の応用としてInGaAs/InPフォト
ダイオードが1520～1620nmの帯域にて0.6%以下の光反射率特性を持っております。広帯域を越えてこの超低反射率
はInGaAs/InPフォトダイオードの面に直接、多層膜ARコーティングを施す事により得られます。
◇特長
・0.6%以下の反射率 ･低雑音 ･高応答性 ･高速特性 ･900～1700nmのスペクトル帯域
◇応用
･波長ロッカー/ 波長モニタリング ･レーザバックファセットモニタリング ･DWDM ・装置
◇仕様: ・InGaAsフォトダイオード(FCI-InGaAs-WCER-LR)
| 型式 | 有効径 μm |
応答性
typ.(A/W) 1.3/1.55um |
容量 pF,V(R)=5V typ |
暗電流
(nA) max |
最大
逆電圧 V |
最大 逆/順電流 mA |
|
InGaAsフォトダイオード
|
||||||
| FCI-InGaAs-WCER-LR |
250x500 |
0.90 / 0.95
|
15
|
1
|
20
|
2/ 5 |
Fermionics(InGaAs)；Archcom,Fermionics,MutiPlex(レシーバ)；Archcom,MPI(高速ディテクタ)；
OSI(Si,Si-APD,GaAs),(InGaAs,光通信)；AdvancePhotonics(Si);Epigap(PDチップ)
OSI(Si,Si-APD,GaAs),(InGaAs,光通信)；AdvancePhotonics(Si);Epigap(PDチップ)
|
パラメータ
|
保存温度
|
動作温度
|
半田温度
|
単位
|
|
最大絶対定格
|
||||
|
Min
|
-40
|
0
|
-
|
℃
|
|
Max
|
+85
|
+70
|
+260
|
℃
|
