◇製品名 InGaAsフォトダイオード
大有効径InGaAs PD
(FCI-InGaAs-XXX-X):
Large Active Area InGaAs Photodiode
OSI Optoelectronics 社
大有効径InGaAs PD
(FCI-InGaAs-XXX-X):
Large Active Area InGaAs Photodiode
OSI Optoelectronics 社
◇概 要
・大有効径InGaAs フォトダイオード(FCI-InGaAs-XXX-X):
1mm，1.5mm 並びに3mmの有効径のFCI-InGaAs-XXX-Xシリーズは1100-1620nmの応答性があり微弱信号に高感度
特性を持っている当社の大有効径素子です。これらの大有効径のデバイスは赤外測定器やモニタリング応用に理想的
です。フォトダイオードチップは広帯域ダブルサイドのARコーティングされた平面窓を持ったTO-46又はTO-5パッケージ
にアイソレートされております。FCI-InGaAs-1500-XとFCI-InGaAs-3000-Xは5,10,20,30並びに40MΩの異なったシャ
ント抵抗を持っております。
◇特長
・高応答性 ･大有効径デバイス ･低雑音 ･900～1700nmのスペクトル帯域
◇応用
･光学機器 ･パワー測定 ・IRセンシング ･医療デバイス
・大有効径InGaAs フォトダイオード(FCI-InGaAs-XXX-X):
1mm，1.5mm 並びに3mmの有効径のFCI-InGaAs-XXX-Xシリーズは1100-1620nmの応答性があり微弱信号に高感度
特性を持っている当社の大有効径素子です。これらの大有効径のデバイスは赤外測定器やモニタリング応用に理想的
です。フォトダイオードチップは広帯域ダブルサイドのARコーティングされた平面窓を持ったTO-46又はTO-5パッケージ
にアイソレートされております。FCI-InGaAs-1500-XとFCI-InGaAs-3000-Xは5,10,20,30並びに40MΩの異なったシャ
ント抵抗を持っております。
◇特長
・高応答性 ･大有効径デバイス ･低雑音 ･900～1700nmのスペクトル帯域
◇応用
･光学機器 ･パワー測定 ・IRセンシング ･医療デバイス
◇仕様: ・大有効径InGaAs フォトダイオード(FCI-InGaAs-XXX-X)
| 型式 | 有効径 mm |
応答性
(A/W),typ 1.3/1.55um |
容量
V(R)=0V |
シャント
抵抗 V(R)=10mV |
最大 逆電圧 max.V |
最大
逆電流 max.mA |
最大 順方向 電流，mA |
|
大有効径InGaAs フォトダイオード
|
|||||||
| FCI-InGaAs-1000 |
1 typ |
0.9/0.95
|
80 typ
|
30 min
|
5 |
1
|
10 |
| FCI-InGaAs-1500 |
1.5 |
0.9/0.95
|
200
|
20 typ
|
2 |
2
|
10 |
|
FCI-InGaAs-3000
|
3.0 | 0.9/0.95 | 750 |
20 typ
|
2 | 2 | 10 |
Fermionics(InGaAs)；Archcom,Fermionics,MutiPlex(レシーバ)；Archcom,MPI(高速ディテクタ)；
OSI(Si,Si-APD,GaAs),(InGaAs,光通信)；AdvancePhotonics(Si);Epigap(PDチップ)
OSI(Si,Si-APD,GaAs),(InGaAs,光通信)；AdvancePhotonics(Si);Epigap(PDチップ)
|
パラメータ
|
保存温度
|
動作温度
|
半田温度
|
単位
|
|
最大絶対定格
|
||||
|
Min
|
-55
|
-40
|
-
|
℃
|
|
Max
|
+125
|
+75
|
+260
|
℃
|