DiCon社のマルチモードMEMSの1x4光スイッチのコアは当社のMEMSチップ使用製品です。MEMSチップはシリコン
軸上に電動ミラーを用いております。チップへ供給される電圧によってミラーを回転させます。この動作が入出力
ファイバーのON-OFFスイッチの結合動作が行われます。マルチモードMEMS1x4スイッチはノン･ラッチングデバイス
で電気が供給されないと閉じます。
軸上に電動ミラーを用いております。チップへ供給される電圧によってミラーを回転させます。この動作が入出力
ファイバーのON-OFFスイッチの結合動作が行われます。マルチモードMEMS1x4スイッチはノン･ラッチングデバイス
で電気が供給されないと閉じます。
◇製品名：マルチモードMEMS 1x4光スイッチ
MEMS 1xN光スイッチ：マルチモード
DiCon社製 MS1-1x4型
MEMS 1xN光スイッチ：マルチモード
DiCon社製 MS1-1x4型
◇特長
●小型の光スイッチパッケージ
●DiCon社のMEMSプラットフォーム
●TTLパラレル又はSMBus/I2C 制御インターフェース
●50μm並びに62.5μmコアのMMファイバーに対応
●小型の光スイッチパッケージ
●DiCon社のMEMSプラットフォーム
●TTLパラレル又はSMBus/I2C 制御インターフェース
●50μm並びに62.5μmコアのMMファイバーに対応
◇応用
●DWDMネットワークモニタ
●光ファイバーセンサー，サイドセレクトスイッチ
●温度，環境センサー
●DWDMネットワークモニタ
●光ファイバーセンサー，サイドセレクトスイッチ
●温度，環境センサー
◇ハウジングサイズ
メカニカルサイズ(単位：mm)
◇特性(光学・電気)
◇ご注文方法
| 光学特性 |
仕様値
|
|
|
挿入損失
|
850nm
|
0.8dB max.
|
|
850/1310nm
|
1.2dB max.
|
|
|
クロストーク
|
50μmコア
|
-30 dB max.
|
|
62.5μmコア
|
-25 dB max.
|
|
|
反射減衰量
|
-20 dB max.
|
|
|
スイッチング時間
|
15ms max.
|
|
|
TDL
|
0.2 dB max.
|
|
|
再現性
|
0.02dB max.
|
|
|
耐久性
|
109サイクル分
|
|
|
光入力パワー
|
500mW max.
|
|
|
動作温度/保存温度
|
-5~70/ -40~85℃
|
|
|
ファイバータイプ
|
マルチモード,Bare ファイバ
|
|
| 電気特性 |
‐
|
|
活性タイプ
|
ノン-ラッチング
|
|
制御タイプ
|
I2C & TTL
|
|
Vcc電圧
|
12VDC
|
|
消費電力
|
170mW max.
|
|
Vccダメージ閾値
|
15VDC
|