エピウエハー
サファイヤ基板/ GaN(窒化ガリウム)
GaN on Sapphire
サファイヤ基板/ GaN(窒化ガリウム)
GaN on Sapphire
◇物理的特性：
結晶構造はウルツ鉱構造と閃亜鉛鉱構造の2種類を取りうるが、前者がエネルギー的に安定であり、よく使わ
れている。ウルツ鉱構造の格子定数は、a軸が 3.18 Å、c軸が 5.17 Å である。バンドギャップは室温において
約 3.4 eV で、波長では約 365 nm に相当し、紫外領域の光源となる。微量のインジウム (In)を加えて InGaN
結晶にすることで紫色、青色の光源として用いることができる。発光ダイオードによる光の三原色のひとつとして
交通信号やディスプレイに用いられる。
他の半導体と比べて
1.熱伝導率が大きく放熱性に優れている 2.高温での動作が可能
3.電子の飽和速度が大きい 4.絶縁破壊電圧が高い
結晶構造はウルツ鉱構造と閃亜鉛鉱構造の2種類を取りうるが、前者がエネルギー的に安定であり、よく使わ
れている。ウルツ鉱構造の格子定数は、a軸が 3.18 Å、c軸が 5.17 Å である。バンドギャップは室温において
約 3.4 eV で、波長では約 365 nm に相当し、紫外領域の光源となる。微量のインジウム (In)を加えて InGaN
結晶にすることで紫色、青色の光源として用いることができる。発光ダイオードによる光の三原色のひとつとして
交通信号やディスプレイに用いられる。
他の半導体と比べて
1.熱伝導率が大きく放熱性に優れている 2.高温での動作が可能
3.電子の飽和速度が大きい 4.絶縁破壊電圧が高い
窒化ガリウム（チッカガリウム、GaN）はガリウムの窒化物であり、主に青色発光ダイオード（青色LED）の材料
として用いられる半導体である。ガリウムナイトライド (gallium nitride) とも呼ばれる。
として用いられる半導体である。ガリウムナイトライド (gallium nitride) とも呼ばれる。
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パラメータ
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仕様値
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伝導タイプ
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GaN:N-type
(ドープ無し) |
GaN:N-type
(Geドープ) |
GaN:半絶縁 type
(Feドープ) |
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サイズ:径 / 厚さ/ 有効面積
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φ:2インチ(50.8mm ±1mm) / 350±25 um / >90%
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面方位/Orientation
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M-軸0.35±0.15°に対してC-面 (0001) M-軸に0.35±0.15°OFF
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オリフラ/Orientation Flat
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(1-100) ± 0.5°, 16.0 ± 1.0 mm
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全厚さ変動
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≦15um
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抵抗率(300K)
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< 0.5 Ω･cm
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< 0.05 Ω･cm
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> 106 Ω･cm
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転位密度
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≦5x 105cm-2
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研磨
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前面: Ra < 0.2nm ; 背面: ファイングラインディング(砂目)
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梱包
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クラス100の環境のクリーン室にて窒素雰囲気中で容器に梱包
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◇仕様: GaN(窒化ガリウム)単結晶/ Ge 並びに Fe ドープ
注意：その他仕様、在庫状況についてはお問い合わせ下さい。
サイズ:□10.0mm x 10.5mmタイプ
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パラメータ
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仕様値
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タイプ
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GaN:N-type
(ドープ無し) |
GaN:N-type
(Geドープ無し) |
GaN:半絶縁 type
(Feドープ無し) |
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サイズ:径 / 厚さ / 有効面積
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□10.0mm x 10.5mm; ±0.2mm / 350±25 um / >90%
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面方位/Orientation
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M-軸0.35±0.15°に対してC-面 (0001) M-軸に0.35±0.15°OFF
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オリフラ/Orientation Flat
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(1-100) ± 0.5°, 16.0 ± 1.0 mm
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全厚さ変動
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≦10um
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抵抗率(300K)
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< 0.5 Ω･cm
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< 0.05 Ω･cm
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> 106 Ω･cm
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転位密度
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≦5x 105cm-2
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研磨
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前面: Ra < 0.2nm(エピレディー研磨) ; 背面: ファイングラウンド(砂目)
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梱包
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クラス100の環境のクリーン室にて窒素雰囲気中で容器に梱包
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サイズ:φ2インチ(50.8mm)タイプ
