GIP Technology社製

ピコ秒Ybファイバ‐レーザ‐アンプユニット
AMP-YFA-PS-HP-U


特長/ Features:
平均パワー最大40W
全ファイバー設計、高信頼性
入最大120kWの高ピークパワ‐
メンテナンスフリー
ランダム又は直線偏光
RS-232ローカル監視可能
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株式会社ネオトロン

光特性
光特性
飽和出力パワー
Max 1 W
Max 5 W
Max 20 W
Max 40 W
動作モード
Pulsed
中心波長
1035, 1055, 又は 1064nm
入力平均パワー
1~50 mW
入力パルス間隔
1~100 ps
パルス繰返し比
10~400 MHz
偏光消光比
Min. 20dB
ピークパワー
Max. 5 kW
Max. 15 kW
Max. 25 kW
Max. 120 kW
ビーム質
Max. 1.2 M2
Max. 1.3 M2
Max. 1.5 M2
Max. 1.3 M2
偏光
ランダム 又は 直線
偏光消光比
Min. 20dB
Min. 17dB
入力ファイバータイプ
Hi-1060 or PM 980
コネクタ
FC/APC or コリメーター
コリメートされたビーム
電気特性
仕様値
動作電圧
100 ~ 240VAC, 50/60Hz
制御モード
ACC or APC
制御インターフェース
RS232/USB
パルスタイミング
External trigger, TTL
環境
仕様値
周囲温度
15~+35℃
保存温度
0~+60℃
相対湿度(無結露)
5~85 %
冷却
空冷 又は水冷
メカニカル特性
仕様値
サイズ(W x L x H)
ベンチトップ
or 19" 2U
19" 2U
19" 3U
19" 5U
仕 様
詳細(英文)
ピコ秒Ybド‐プファイバ‐アンプユニット
AMP-YFA-PS-HP-U
--GIP Technology ピコ秒イッテルビウム ファイバー アンプ ユニット (AMP-YFA-PS-HP-U) は、1μm 帯域のピコ秒
ファイバー レーザ-光源で、材料加工、半導体検査、スーパーコンティニューム生成向け等の応用に広く使われ
スタンドアロン形態で高ピーク パワー (最大 120 kW) を提供します。

応用/Applications:
素材加工
半導体検査
高調波発生
OPOポンピング
励起プローブ

詳細(英文)
click:MG
全ファイバー設計とスプライシング技術により、従来のロッドまたはディスク DPSS レーザ‐と比較してレーザ‐がより
コンパクトになります。 持続時間がわずか数ピコ秒のレーザ‐パルスのピーク強度は非常に高いため、非線形/多光子
吸収が発生し、その結果、熱影響がほとんどない非常に正確な“コールド”プロセスが実現します。

さらに、これらのユニットは、LCD ディスプレイ、LED インジケータ、およびさまざまな通信インターフェイス
(RS232)を介したユーザーフレンドリーなステータス監視も提供します。