InGaAs:コンパクト、クール、TO-46パッケージ
APD & PIN フォトダイオード
▲PIN 1000-17-T1; ▲APD 0200-17-T1
Chungwa Leading Photonics Tech.(LCPT)社
APD & PIN フォトダイオード
▲PIN 1000-17-T1; ▲APD 0200-17-T1
Chungwa Leading Photonics Tech.(LCPT)社
InGaAs:APD & PIN フォトダイオード
●低光センシング（LIDARなど）の高まる需要に対応
●コンパクトなTO-46パッケージに基づく熱電冷却InGaAsフォトダイオード
●これらのフォトダイオードは、低温または温度制御された動作で最小の冷却電力消費（<0.3W）で、
従来の非冷却のものよりも優れた感度と高安定性デバイスです
●低光センシング（LIDARなど）の高まる需要に対応
●コンパクトなTO-46パッケージに基づく熱電冷却InGaAsフォトダイオード
●これらのフォトダイオードは、低温または温度制御された動作で最小の冷却電力消費（<0.3W）で、
従来の非冷却のものよりも優れた感度と高安定性デバイスです
●信頼性の高いプレーナデバイス
●0.95-1.７μmでの高スペクトル応答性
●TEクーラ付きのでのTO-46パッケージ
●低漏れ電流
●>800MHz 3dB バンド幅
●漂遊吸収が少ない
●光検出と測距(LIDAR)
●スペクトル解析
●光ファイバー通信/テスト
●光コヒーレントトモグラフィー
●シングルフォトダイオードSWIRカメラ
●隠れIRセンシング
概 要
|
モデル番号
|
APD0200-17-T1
|
||
|
パラメータ
|
単位
|
仕様値
|
|
|
スペクトル範囲
|
μm
|
0.95-1.65
|
|
|
口径サイズ
|
μm
|
φ200
|
|
|
パッケージタイプ
|
-
|
TO-46/5P
|
|
仕様(TAMB=23℃)
|
モデル番号
|
APD0200-17-T1
|
||||
|
パラメータ
|
単位
|
Min
|
Typ
|
Max
|
|
|
スペクトル範囲
|
μm
|
0.95-1.65
|
|||
|
暗電流 (M=10)
|
nA
|
-
|
5
|
50
|
|
|
動作電圧(Vop) (M=10)
|
V
|
32
|
-
|
50
|
|
|
破壊電圧(Vbd) (Ibd=100uA)
|
V
|
35
|
-
|
55
|
|
|
容量 (M=10, f=1MHz)
|
pF
|
-
|
2.5
|
3.0
|
|
|
応答性
|
M=10,λ=1.55u
|
A/W
|
8
|
9
|
|
|
M=1,λ=1.55u
|
A/W
|
0.8
|
0.9
|
-
|
|
|
利得(λ=1.55um)
|
‐
|
10
|
20
|
-
|
|
|
3dB バンド幅 (ｆ3dB) (M=10,λ=1.55um)
|
GHz
|
0.8
|
1
|
-
|
|
|
スぺクトル ノイズ 電流 (M=10,Δf=1Khz)
|
pA/√Hz
|
-
|
0.5
|
1.5
|
|
絶対最大定格
|
モデル番号
|
APD0200-17-T1
|
|||
|
パラメータ
|
単位
|
Min
|
Max
|
|
|
スペクトル範囲
|
μm
|
0.95-1.65
|
||
|
逆電流
|
mA
|
-
|
1
|
|
|
順方向電流
|
mA
|
-
|
5
|
|
|
TEC電流
|
A
|
-
|
0.65
|
|
|
周囲温度
|
動作中
|
℃
|
-40
|
+85
|
|
保存
|
℃
|
-45
|
+90
|
|
