InGaAs:
2次元フォーカルプレーンアレイ
DIRVIEW InGaAsダイレクトSWIR
InGaAs Direct SWIR Viewer:
▲ DIVxxxxP10G-17-C
Chungwa Leading Photonics Tech.(LCPT)社
2次元フォーカルプレーンアレイ
DIRVIEW InGaAsダイレクトSWIR
InGaAs Direct SWIR Viewer:
▲ DIVxxxxP10G-17-C
Chungwa Leading Photonics Tech.(LCPT)社
VIEWer（DIRVIEWTM）
●最小の電力消費でポータブル/適応可能なSWIRイメージャー用に設計
●1つの3Vリチウム電池で、SWIRシーン検出とディスプレイの両方に電源を投入可能
●レンズを追加するのみで、SWIR画像をデジタルカメラで直接観察可能
●当2端子デバイスは光電流を出力でき、光パワー情報を提供可能
●最小の電力消費でポータブル/適応可能なSWIRイメージャー用に設計
●1つの3Vリチウム電池で、SWIRシーン検出とディスプレイの両方に電源を投入可能
●レンズを追加するのみで、SWIR画像をデジタルカメラで直接観察可能
●当2端子デバイスは光電流を出力でき、光パワー情報を提供可能
モデルDIV1280P10G-17C:12.8mm x 9.6mm Effective Viewing Area
●短波近赤外〜グリーン領域までへの波長変換
●0.9um-1.7umの光検出範囲
●目に敏感な緑のエミッターアレイ
●巨視的なエリア操作性>99%
●最大の変換効率>1%W/W
●最小検出可能パワー密度<100uW/cm2
●高速画像応答
●セラミックLCCパッケージ
●低電圧(3V)動作
●光ファイバーテスティング
●画像パワーメータ
●レーザー光検出＆解析
●マイクロスコピー
●シリコーンを通して見る
●火災検知
●高速SWIR(0.9-2.5um)画像
概 要
|
パラメータ
|
単位
|
DIV0320P10G-17C
|
DIV1280P10G-17C
|
|
センサー技術
|
-
|
Planar InGaAs PIN(0.9-1.7um)アレー
|
|
|
エミッター技術
|
-
|
InGaN グリーンIEDアレー
|
|
|
ピクセル(画素)ピッチ
|
μm
|
10
|
|
|
画像サイズ
|
mm
|
3.2 x 3.2
|
12.8 x 9.6
|
|
画像の対角線の長さ
|
mm
|
4.5
|
16
|
|
パッケージタイプ
|
-
|
セラミック8LCC
|
セラミック12LCC
|
|
パッケージサイズLxWxT
|
mm
|
8 x 8 x 1.15
|
18 x 18 x 1.45
|
|
重さ
|
g
|
0.32
|
1.68
|
仕様(TAMB=23℃, VPOS=3V)
|
モデル番号
|
DIV0320P10G-17C
|
DIV1280P10G-17C
|
|||||
|
スペクトル幅(um)
|
0.9-1.7
|
||||||
|
パラメータ
|
単位
|
Min.
|
Typ.
|
Max.
|
Min.
|
Typ
|
Max
|
|
暗電流
|
uA
|
-
|
0.01
|
0.5
|
-
|
0.1
|
1
|
|
容量＠1MHz
|
nF
|
-
|
2.0
|
3.0
|
-
|
25
|
35
|
|
応答性＠1.55um
|
A/W
|
0.85
|
0.95
|
-
|
0.85
|
0.95
|
-
|
|
量子効率,QE
@1.55um |
%
|
68
|
76
|
-
|
68
|
76
|
-
|
|
飽和パワー
@1.55um,-0.2dB |
mW
|
0.2
|
0.5
|
-
|
0.2
|
0.5
|
-
|
|
最大変換効率,CE
@0.53um/1.55um |
W/W
|
0.9%
|
1.5%
|
-
|
0.9%
|
1.5%
|
-
|
|
ph/ph
|
0.3%
|
0.5%
|
-
|
0.3%
|
0.5%
|
-
|
|
|
巨視的なエリア操作性
@0.53um/1.55um |
%
|
99
|
99.5
|
-
|
99
|
99.5
|
-
|
絶対最大定格
|
モデル番号
|
DIV0320P10G-17C
|
DIV1280P10G-17C
|
|||
|
パラメータ
|
単位
|
Min.
|
Max.
|
Min.
|
Max
|
|
VPOS
|
V
|
+2
|
+5.5
|
+2
|
+5.5
|
|
IPOS
|
mA
|
-
|
5
|
-
|
5
|
|
動作温度
|
℃
|
-20
|
+70
|
-20
|
+70
|
|
保存温度
|
℃
|
-20
|
+70
|
-20
|
+70
|
|
半田付け条件
|
各パッドに対して320℃/3秒max.
|
||||
|
デバイスにはインジウムベースの合金が含まれています。高温で長時間加熱すると、デバイスのパフォーマンスが低下する可能性があります。
|
|||||
